英飞凌科技股份有限公司O.J.施普尔伯获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811443365.6，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法是由O.J.施普尔伯;M.屈恩勒;W.勒斯纳;C.P.桑多;C.魏斯设计研发完成，并于2018-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法。实施例涉及一种在半导体主体中制造绝缘栅双极型晶体管的方法。在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场截止区部分。在所述第一场截止区部分上形成所述第一导电类型的第二场截止区部分。在所述第二场截止区部分上形成所述第一导电类型的漂移区。在完成所述绝缘栅双极型晶体管时，沿所述半导体主体的厚度的多于30%的垂直延伸，所述漂移区中的掺杂浓度小于1013cm‑3。
本发明授权包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体主体中制造绝缘栅双极型晶体管的方法，所述方法包括： 在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场截止区部分； 在所述第一场截止区部分上形成所述第一导电类型的第二场截止区部分；以及 在所述第二场截止区部分上形成所述第一导电类型的漂移区，其中在完成所述绝缘栅双极型晶体管时，沿所述半导体主体的厚度的多于30％的垂直延伸，所述漂移区中的掺杂浓度小于1013cm-3，并且所述半导体主体的剩余部分的掺杂浓度大于1013cm-3，其中所述漂移区中的电场峰值强度减小，所述漂移区中的电场梯度减小，以减小所述绝缘栅双极型晶体管的空间电荷区的延伸，并且通过维持宇宙射线鲁棒性来减小所述半导体主体的厚度。
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