申请/专利权人：西安拓尔微电子有限责任公司

申请日：2019-04-22

公开（公告）日：2020-03-10

公开（公告）号：CN210137304U

主分类号：H03F1/30(20060101)

分类号：H03F1/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.03.10#授权

摘要：本实用新型提供了一种带温度补偿的内置Regulator电路，芯片内部在不需要专门设计带隙基准电路模块、输出端不需要环路补偿的情况下，芯片输入为高压时电路内部产生供其他模块正常工作的稳定可靠地工作电压，设计芯片内部电路简单，芯片工作时自身电路的待机电流非常小。各种器件可以根据温度的变化对输出电压进行有效地补偿，可以做到输出电压不受温度的影响而产生不稳定的情况，从而确保了在各种温度环境中芯片的正常工作。本实用新型实现电路简单，适用于各种目前常见的高压CMOS工艺电路，并且使用过程安全可靠，不仅节约成本，还大大减少了研发周期。

主权项：1.一种带温度补偿的内置Regulator电路，其特征在于：所述带温度补偿的内置Regulator电路中，包括高压P沟道增强型MOS管PM1-PM2，高压N沟道增强型MOS管NM1-NM3，N沟道增强型MOS管NM4-NM7，电阻R1-R3，电流偏置电路模块，VIN输入端口和VP1、VP2输出端口，所述VIN端口为高压输入端口，VP1、VP2为电路的Regulator电压输出端口，所述电流偏置电路模块输出端连接高压P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极和高压P沟道增强型MOS管PM2栅极，提供具有正温度系数的偏置电流；所述高压P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN端口，栅极漏极连接高压P沟道增强型MOS管PM2栅极和电流偏置电路模块的输入端；所述高压P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN端口，栅极连接高压P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极和电流偏置电路模块的输入端，漏极连接高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、二极管D1阴极、高压N沟道增强型MOS管NM2栅极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极；所述高压P沟道增强型MOS管PM1和PM2构成电流镜结构电路；所述高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、二极管D1阴极、高压N沟道增强型MOS管NM2栅极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极；所述高压N沟道增强型MOS管NM2漏极连接VIN端口，栅极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、二极管D1阴极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极，源极连接电阻R2一端和VP1输出端口；所述高压N沟道增强型MOS管NM3漏极连接电阻R1的一端，栅极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、二极管D1阴极和高压N沟道增强型MOS管NM2栅极，源极连接电阻R3一端和VP2输出端口；所述N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极连接高压N沟道增强型MOS管NM1源极，源极连接N沟道增强型MOS管NM5栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM5栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM4源极，源极连接N沟道增强型MOS管NM6栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM6栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM5源极，源极连接N沟道增强型MOS管NM7栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM6源极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM4-NM7均为二极管连接方式；所述二极管D1阴极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、高压N沟道增强型MOS管NM2栅极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极，阳极接地；所述电阻R1一端连接VIN端口，另一端连接高压N沟道增强型MOS管NM3漏极；所述电阻R2一端连接高压N沟道增强型MOS管NM2源极和VP1输出端口，另一端接地；所述电阻R3一端连接高压N沟道增强型MOS管NM3源极和VP2输出端口，另一端接地；所述二极管D1起稳压作用，电阻R1为限流和ESD保护作用，电阻R2和R3为VP1和VP2输出支路的偏置作用。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安拓尔微电子有限责任公司 一种带温度补偿的内置Regulator电路

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