申请/专利权人:上海电气电站设备有限公司
申请日:2019-12-16
公开(公告)日:2020-04-10
公开(公告)号:CN110987906A
主分类号:G01N21/73(20060101)
分类号:G01N21/73(20060101);G01N1/44(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.08.01#发明专利申请公布后的驳回;2020.05.05#实质审查的生效;2020.04.10#公开
摘要:本发明提供一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中微量硅的ICP‑OES分析方法,包括:将镍基高温合金样品进行微波消解后获得的样品溶液,进行电感耦合等离子体发射光谱法检测,采用标准曲线法进行定量,根据FACT校正模型对标准曲线进行校正,获得样品溶液中硅元素的含量。本发明提供的一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中微量硅的ICP‑OES分析方法,能够解决微量硅的测定结果偏差较大这一技术难题,相比现有技术采用的IEC校正方法,避免了耗时而繁琐的干扰因子的计算,测定效率更高。
主权项:1.一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中硅的ICP-OES分析方法,包括:将镍基高温合金样品进行微波消解后获得的样品溶液,进行电感耦合等离子体发射光谱法测定,采用标准曲线法进行定量,根据FACT校正模型对标准曲线进行校正,获得样品溶液中硅元素的含量。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海电气电站设备有限公司 一种采用FACT校正技术测定镍基高温合金中微量硅的ICP-OES分析方法
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