申请/专利权人：西安硅宇微电子有限公司

申请日：2019-12-07

公开（公告）日：2020-05-12

公开（公告）号：CN210518265U

主分类号：H03K19/0175(20060101)

分类号：H03K19/0175(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.12#授权

摘要：本实用新型提供了一种电平转换模块的驱动电路，属于电力电子技术，该电平转换模块的驱动电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容、第一与非门和第二与非门等。本实用新型可以将传统电平转换模块的转换时间缩短50％以上，达到10ns级内的响应速度，在不增加原有电路中MOS管的宽长比的前提下，大幅提升模拟开关的响应效率。

主权项：1.一种电平转换模块的驱动电路，其特征在于，包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电容C1、第二电容C2、第一与非门I1和第二与非门I2，其中：所述第六PMOS管P6的源极连接VDD电源，第六PMOS管P6的漏极分别连接第四NMOS管N4的漏极、第二电容C2和第一与非门I1的第一输入端，第六PMOS管P6的栅极分别连接第四NMOS管N4的栅极、第一与非门I1的第二输入端和电平转换模块中信号控制端IN，所述第四NMOS管N4的源极连接第三NMOS管N3的源极；所述第一与非门I1的输出端连接第四PMOS管P4的栅极，第四PMOS管P4的源极连接VDD电源，第四PMOS管P4的漏极分别连接电平转换模块中第一PMOS管P1的漏极和第一NMOS管N1中的漏极；所述第五PMOS管P5的源极连接VDD电源，第五PMOS管P5的漏极分别连接第三NMOS管N3的漏极、第一电容C1和第二与非门I2的第一输入端，第五PMOS管P5的栅极分别连接第三NMOS管N3的栅极、第二与非门I2的第二输入端和电平转换模块中信号控制端IN，所述第三NMOS管N3的源极通过第一电阻R1接地；所述第二与非门I2的输出端连接第三PMOS管P3的栅极，第三PMOS管P3的源极连接VDD电源，第三PMOS管P3的漏极分别连接电平转换模块中第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2中的漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安硅宇微电子有限公司 一种电平转换模块的驱动电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD