申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2018-02-28

公开（公告）日：2020-08-04

公开（公告）号：CN108493186B

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.08.04#授权;2018.09.28#实质审查的生效;2018.09.04#公开

摘要：本发明涉及一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，针对SCR结构，在N阱中添加PMOS结构，并将PMOS漏端与P阱相连接，在正向ESD脉冲下，PMOS较反向PN结更早击穿，并通过漏端P+将电流传递到P阱，抬高P阱电位，使寄生NPN管更快开启，降低器件触发电压；另外器件内部增加了可以箝拉内部电压的新寄生晶体管，抑制正反馈机制，使器件的维持电压得到提高。

主权项：1.一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，其特征在于：包括P衬底10、N阱11、P阱12、第一N+注入区13、第一P+注入区14、第二P+注入区15、第三P+注入区16、第二N+注入区17、第三N+注入区18、第四P+注入区19、第一场氧隔离区20、第二场氧隔离区21、第三场氧隔离区22、第四场氧隔离区23、第五场氧隔离区24、第一多晶硅栅25、第一薄栅氧化层26、第二多晶硅栅27、第二薄栅氧化层28、第一金属件29、第二金属件30、第三金属件31、第四金属件32、第五金属件33、第六金属件34、第七金属件35、第八金属件36、第九金属件37、第十金属件38、第十一金属件39、第十二金属件40、阳极电极41、阴极电极42；其中，第一多晶硅栅25两侧间的间距与第一薄栅氧化层26两侧间的间距相等，第一多晶硅栅25覆盖设置于第一薄栅氧化层26上表面，且第一多晶硅栅25的两侧分别与第一薄栅氧化层26的两侧相对应；第二多晶硅栅27两侧间的间距与第二薄栅氧化层28两侧间的间距相等，第二多晶硅栅27覆盖设置于第二薄栅氧化层28上表面，且第二多晶硅栅27的两侧分别与第二薄栅氧化层28的两侧相对应；N阱11和P阱12相邻设置于P衬底10上表面，N阱11与P阱12之间彼此相对的侧面相对接，且N阱11上表面与P阱12上表面相平齐，N阱11上背向P阱12的侧面与P衬底10上的一侧面相平齐，且P阱12上背向N阱11的侧面与P衬底10上的一侧面相平齐；定义N阱11上表面对接其与P衬底10侧面相平齐的侧面的边缘为起始边，以及定义P阱12上表面对接其与P衬底10侧面相平齐的侧面的边缘为终止边；在N阱11上表面与P阱12上表面，自起始边至终止边依次相邻设置第一场氧隔离区20、第一N+注入区13、第二场氧隔离区21、第一P+注入区14、第一薄栅氧化层26、第二P+注入区15、第三场氧隔离区22、第三P+注入区16、第二N+注入区17、第二薄栅氧化层28、第三N+注入区18、第四场氧隔离区23、第四P+注入区19、第五场氧隔离区24；其中，第一场氧隔离区20、第一N+注入区13、第二场氧隔离区21、第一P+注入区14、第一薄栅氧化层26、第二P+注入区15位于N阱11上表面；第三场氧隔离区22跨区域位于N阱11上表面和P阱12上表面；第三P+注入区16、第二N+注入区17、第二薄栅氧化层28、第三N+注入区18、第四场氧隔离区23、第四P+注入区19、第五场氧隔离区24位于P阱12上表面；起始边与第一场氧隔离区20其中一侧相对接，第一场氧隔离区20另一侧与第一N+注入区13其中一侧相对接，第一N+注入区13另一侧与第二场氧隔离区21其中一侧相对接，第二场氧隔离区21另一侧与第一P+注入区14其中一侧相对接，第一P+注入区14另一侧与第一薄栅氧化层26其中一侧相对接，第一薄栅氧化层26另一侧与第二P+注入区15其中一侧相对接，第二P+注入区15另一侧与第三场氧隔离区22其中一侧相对接，第三场氧隔离区22另一侧与第三P+注入区16其中一侧相对接，第三P+注入区16另一侧与第二N+注入区17其中一侧相对接，第二N+注入区17另一侧与第二薄栅氧化层28其中一侧相对接，第二薄栅氧化层28另一侧与第三N+注入区18其中一侧相对接，第三N+注入区18另一侧与第四场氧隔离区23其中一侧相对接，第四场氧隔离区23另一侧与第四P+注入区19其中一侧相对接，第四P+注入区19另一侧与第五场氧隔离区24其中一侧相对接，第五场氧隔离区24另一侧与终止边相对接；第一N+注入区13与第一金属件29其中一端相连接，第一P+注入区14与第二金属件30其中一端相连接，第一多晶硅栅25与第三金属件31其中一端相连接，第二P+注入区15与第四金属件32其中一端相连接，第三P+注入区16与第五金属件33其中一端相连接，第二N+注入区17与第六金属件34其中一端相连接，第二多晶硅栅27与第七金属件35其中一端相连接，第三N+注入区18与第八金属件36其中一端相连接，第四P+注入区19与第九金属件37其中一端相连接；第一金属件29另一端、第二金属件30另一端、第三金属件31另一端均与第十金属件38相连接，并从第十金属件38引出阳极电极41，作为ESD防护器件的阳极；第四金属件32另一端、第五金属件33另一端、第六金属件34另一端均与第十一金属件39相连接，第七金属件35另一端、第八金属件36另一端、第九金属件37另一端均与第十二金属件40相连接，并从第十二金属件40引出一阴极电极42，作为ESD防护器件的阴极。

全文数据：一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件技术领域[0001]本发明涉及一种PM0S触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，属于集成电路的静电放电技术领域。背景技术[0002]静电放电（electrostaticdischarge,ESD是指当两种带不同电荷的物体相互靠近或者接触时，两者之间的介质被击穿，形成了瞬态的电荷转移。日常生活中的ESD事件由于其电量低、作用时间短、能量小的特点，一般不会对人体造成伤害。然而在集成电路中，很多不被人体感知的ESD事件就足以对一些电子元器件造成损伤。芯片在制造、封装、测试、运输以及使用过程中，都有可能面对ESD的冲击，如果没有在芯片中添加ESD防护模块，芯片极易被打坏。随着集成电路制造工艺的不断发展，晶体管尺寸越来越小、栅氧化层变薄等一系列工艺上的变化使得ESD很容易对芯片造成伤害，发生如PN结二次击穿、栅氧化层击穿、金属线熔断等失效现象。[0003]SCR器件由于具有较好的ESD泄放能力，已广泛应用在功率器件中ESD防护结构当中。但SCR结构却普遍存在着一些致命问题:SCR结构的开启触发电压太高，SCR结构器件由于存在NPN和PNP正反馈作用，维持电压很低。对于高压ESD器件来说，既要有高于内部电路工作电压的维持电压，又要有低于内部器件栅氧击穿的触发电压，同时还要满足高鲁棒性。这就导致了高压ESD器件的工作窗口非常小，当前大部分高压ESD防护器件已经很难满足这种要求，因此探索更多的ESD保护器件和防护结构至关重要。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种PM0S触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，在ESD脉冲下，器件的触发电压得到降低，同时器件的维持电压得到增加，ESD工作窗口减小，保证器件工作稳定性。[0005]本发明为了解决上述技术问题采用以下技术方案:本发明设计了一种PM0S触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，包括P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四P+注入区、第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区、第五场氧隔离区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层、第一金属件、第二金属件、第三金属件、第四金属件、第五金属件、第六金属件、第七金属件、第八金属件、第九金属件、第十金属件、第i^一金属件、第十二金属件、阳极电极、阴极电极;其中，第一多晶硅栅两侧间的间距与第一薄栅氧化层两侧间的间距相等，第一多晶硅栅覆盖设置于第一薄栅氧化层上表面，且第一多晶硅栅的两侧分别与第一薄栅氧化层的两侧相对应;第二多晶硅栅两侧间的间距与第二薄栅氧化层两侧间的间距相等，第二多晶硅栅覆盖设置于第二薄栅氧化层上表面，且第二多晶硅栅的两侧分别与第二薄栅氧化层的两侧相对应;N阱和P阱相邻设置于P衬底上表面，N阱与P阱之间彼此相对得一侧相对接，且N阱上表面与P阱上表面相平齐，N阱上背向P阱的一侧与P衬底上对应一侧相平齐，且P阱上背向N阱的一侧与P衬底上对应一侧相平齐；定义N阱上表面对接其与P衬底一侧相平齐的一侧的边缘为起始边，以及定义P阱上表面对接其与P衬底一侧相平齐的一侧的边缘为终止边;在N阱上表面与P阱上表面、自起始边至终止边依次相邻设置第一场氧隔离区、第一N+注入区、第二场氧隔离区、第一P+注入区、第一薄栅氧化层、第二P+注入区、第三场氧隔离区、第三P+注入区、第二N+注入区、第二薄栅氧化层、第三N+注入区、第四场氧隔离区、第四P+注入区、第五场氧隔离区；其中，第一场氧隔离区、第一N+注入区、第二场氧隔离区、第一P+注入区、第一薄栅氧化层、第二P+注入区位于N阱上表面;第三场氧隔离区跨区域位于N阱上表面和P阱上表面；第三P+注入区、第二N+注入区、第二薄栅氧化层、第三N+注入区、第四场氧隔离区、第四P+注入区、第五场氧隔离区位于P阱上表面;起始边与第一场氧隔离区其中一侧相对接，第一场氧隔离区另一侧与第一N+注入区其中一侧相对接，第一N+注入区另一侧与第二场氧隔离区其中一侧相对接，第二场氧隔离区另一侧与第一P+注入区其中一侧相对接，第一P+注入区另一侧与第一薄栅氧化层其中一侧相对接，第一薄栅氧化层另一侧与第二P+注入区其中一侧相对接，第二P+注入区另一侧与第三场氧隔离区其中一侧相对接，第三场氧隔离区另一侧与第三P+注入区其中一侧相对接，第三P+注入区另一侧与第二N+注入区其中一侧相对接，第二N+注入区另一侧与第二薄栅氧化层其中一侧相对接，第二薄栅氧化层另一侧与第三N+注入区其中一侧相对接，第三N+注入区另一侧与第四场氧隔离区其中一侧相对接，第四场氧隔离区另一侧与第四P+注入区其中一侧相对接，第四P+注入区另一侧与第五场氧隔离区其中一侧相对接，第五场氧隔离区另一侧与终止边相对接；第一N+注入区与第一金属件其中一端相连接，第一P+注入区与第二金属件其中一端相连接，第一多晶硅栅与第三金属件其中一端相连接，第二P+注入区与第四金属件其中一端相连接，第三P+注入区与第五金属件其中一端相连接，第二N+注入区与第六金属件其中一端相连接，第二多晶硅栅与第七金属件其中一端相连接，第三N+注入区与第八金属件其中一端相连接，第四P+注入区与第九金属件其中一端相连接;第一金属件另一端、第二金属件另一端、第三金属件另一端均与第十金属件相连接，并从第十金属件引出阳极电极，作为ESD防护器件的阳极;第四金属件另一端、第五金属件另一端、第六金属件另一端均与第十一金属件相连接，第七金属件另一端、第八金属件另一端、第九金属件另一端均与第十二金属件相连接，并从第十二金属件引出一阴极电极，作为ESD防护器件的阴极。[0006]本发明所述一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：1本发明设计了一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，由所述第一N+注入区、第二场氧隔离区、第一P+注入区、第一薄栅氧化层、第一多晶硅栅、第二P+注入区构建PMOS结构，相比于传统结构中的PN更容易发生开启；同时通过将第二P+注入区与第三p+注入区相连接，电流会注入到P阱中，抬高P阱的电位，使结构中所寄生的NPN晶体管的射-基结P阱、第三N+注入区更容易正偏，使寄生NPN晶体管更快开启，器件的触发电压降低；2本发明设计了一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，在器件开启导通后，由第二N+注入区、P阱、第三N+注入区会形成额外的一个寄生NPN晶体管，可以箝拉器件内部的电压，抑制正反馈效应，维持电压得到提高，避免器件发生闩锁效应，能够有效应对传统SCR结构在器件开启后，器件内部因为存在正反馈机制导致器件容易发生闩锁效应的问题。附图说明[0007]图1是传统SCR器件的结构图；图2是本发明所设计PM0S触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件的剖面示意图。[0008]其中，10•P衬底，11•N阱，12.P阱，13•第一N+注入区，14•第一P+注入区，15.第二P+注入区，I6.第三P+注入区，I7•第二N+注入区，I8•第三N+注入区，19•第四P+注入区，20•第一场氧隔离区，21.第二场氧隔离区，22.第三场氧隔离区，23•第四场氧隔离区，24•第五场氧隔离区，25•第一多晶硅栅，2G•第一薄栅氧化层，27•第二多晶硅栅，28.第二薄栅氧化层，29.第一金属件，30•第二金属件J1.第三金属件，32•第四金属件，33•第五金属件，第六金属件，35.第七金属件，36•第八金属件，37•第九金属件，38.第十金属件,39•第^^一金属件,40•第十二金属件，41•阳极电极，42.阴极电极。具体实施方式[0009]下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。[0010]如图2所示，本发明设计了一种PM0S触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，实际应用当中，具体包括P衬底10P-sub、N阱11NW、P阱12PW、第一N+注入区13、第一P+注入区14、第二P+注入区15、第三P+注入区16、第二N+注入区17、第三N+注入区18、第四P+注入区19、第一场氧隔离区20、第二场氧隔离区21、第三场氧隔离区22、第四场氧隔离区23、第五场氧隔离区24、第一多晶硅栅25、第一薄栅氧化层26、第二多晶硅栅27、第二薄栅氧化层28、第一金属件29、第二金属件30、第三金属件31、第四金属件32、第五金属件33、第六金属件34、第七金属件35、第八金属件36、第九金属件W、第十金属件38、第十一金属件39、第十二金属件40、阳极电极41、阴极电极犯；其中，第一多晶硅栅25两侧间的间距与第一薄栅氧化层26两侧间的间距相等，第一多晶硅栅25覆盖设置于第一薄栅氧化层26上表面，且第一多晶硅栅25的两侧分别与第一薄栅氧化层况的两侧相对应;第二多晶硅栅27两侧间的间距与第二薄栅氧化层28两侧间的间距相等，第二多晶硅栅27覆盖设置于第二薄栅氧化层28上表面，且第二多晶硅栅27的两侧分别与第二薄栅氧化层28的两侧相对应;N阱11NW和P阱12PW相邻设置于P衬底1〇p-sub上表面，N阱11NW与P阱12PW之间彼此相对得一侧相对接，且N阱llNW上表面与P阱12PW上表面相平齐，N阱llNW上背向P阱12PW的一侧与P衬底10P-sub上对应一侧相平齐，且p阱12PW上背向N阱11NW的一侧与P衬底10P-sub上对应一侧相平齐。[0011]定义N阱11NW上表面对接其与p衬底1〇p-sub—侧相平齐的一侧的边缘为起始边，以及定义P讲12PW上表面对接其与P衬底1〇p-sub—侧相平齐的一侧的边缘为终止在N阱11NW上表面与P阱12PW上表面、自起始边至终止边依次相邻设置第一场氧隔离区2〇、第一N+注入区13、第二场氧隔离区21、第一P+注入区14、第一薄栅氧化层26、第二P+注入区15、第三场氧隔离区22、第三P+注入区16、第二N+注入区17、第二薄栅氧化层28、第三N+注入区18、第四场氧隔离区2：3、第四P+注入区I9、第五场氧隔离区24;其中，第一场氧隔离区2〇、第一N+注入区13、第二场氧隔离区21、第一p+注入区14、第一薄栅氧化层26、第二P+注入区15位于N阱11NW上表面；第三场氧隔离区22跨区域位于N阱11NW上表面和P讲12PW上表面;第三P+注入区16、第二N+注入区17、第二薄栅氧化层28、第三N+注入区18、第四场氧隔离区23、第四P+注入区19、第五场氧隔离区24位于P阱12PW上表面;起始边与第一场氧隔离区20其中一侧相对接，第一场氧隔离区20另一侧与第一N+注入区13其中一侧相对接，第一N+注入区13另一侧与第二场氧隔离区21其中一侧相对接，第二场氧隔离区2i另一侧与第一P+注入区14其中一侧相对接，第一P+注入区14另一侧与第一薄栅氧化层26其中一侧相对接，第一薄栅氧化层26另一侧与第二P+注入区15其中一侧相对接，第二p+注入区15另一侧与第三场氧隔离区22其中一侧相对接，第三场氧隔离区22另一侧与第三P+注入区16其中一侧相对接，第三P+注入区16另一侧与第二N+注入区17其中一侧相对接，第二N+注入区17另一侧与第二薄栅氧化层28其中一侧相对接，第二薄栅氧化层28另一侧与第三N+注入区18其中一侧相对接，第三N+注入区18另一侧与第四场氧隔离区23其中一侧相对接，第四场氧隔离区23另一侧与第四P+注入区19其中一侧相对接，第四P+注入区19另一侧与第五场氧隔离区24其中一侧相对接，第五场氧隔离区24另一侧与终止边相对接。[0012]第一N+注入区13与第一金属件29其中一端相连接，第一p+注入区14与第二金属件30其中一端相连接，第一多晶硅栅25与第三金属件31其中一端相连接，第二P+注入区15与第四金属件32其中一端相连接，第三P+注入区16与第五金属件33其中一端相连接，第二N+注入区17与第六金属件34其中一端相连接，第二多晶硅栅27与第七金属件35其中一端相连接，第三N+注入区18与第八金属件36其中一端相连接，第四P+注入区19与第九金属件37其中一端相连接;第一金属件29另一端、第二金属件30另一端、第三金属件31另一端均与第十金属件38相连接，并从第十金属件38引出阳极电极41，作为ESD防护器件的阳极;第四金属件32另一端、第五金属件33另一端、第六金属件34另一端均与第十一金属件39相连接，第七金属件35另一端、第八金属件36另一端、第九金属件37另一端均与第十二金属件40相连接，并从第十二金属件40引出一阴极电极42,作为ESD防护器件的阴极。[0013]具体的实际应用当中，与传统如图1所示SCR结构相比，本发明设计了一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，当正向ESD脉冲加在器件的阳极时，由所述第一N+注入区13、第二场氧隔离区21、第一P+注入区14、第一薄栅氧化层26、第一多晶硅栅25、第二P+注入区I5形成的PM0S结构，相比于传统结构中的PN更容易发生开启，同时通过将第二P+注入区15与第三P+注入区I6相连接，电流会注入到P阱12PW中，抬高P阱12PW的电位，使结构中寄生的NPN晶体管的射-基结P阱12PW、第三N+注入区18更容易正偏，使寄生NPN晶体管更快开启，器件的触发电压降低。并且传统SCR结构在器件开启后，器件内部因为存在正反馈机制导致器件容易发生闩锁效应，本发明提出的PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件在开启导通后，由第二N+注入区I7、p阱12PW、第三N+注入区18会形成额外的一个寄生NPN晶体管，可以箝拉器件内部的电压，抑制正反馈效应，维持电压得到提高，避免器件发生闩锁效应。[00M]上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变动。

权利要求：1.一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，其特征在于:包括P衬底10、N阱（11、P阱（12、第一N+注入区（13、第一P+注入区（14、第二P+注入区（15、第三P+注入区（16、第二N+注入区（17、第三N+注入区（18、第四P+注入区（19、第一场氧隔离区（20、第二场氧隔离区（21、第三场氧隔离区（22、第四场氧隔离区（23、第五场氧隔离区（24、第一多晶硅栅25、第一薄栅氧化层26、第二多晶硅栅27、第二薄栅氧化层28、第一金属件29、第二金属件30、第三金属件31、第四金属件32、第五金属件33、第六金属件34、第七金属件35、第八金属件36、第九金属件37、第十金属件38、第i金属件39、第十二金属件40、阳极电极41、阴极电极42;其中，第一多晶硅栅25两侧间的间距与第一薄栅氧化层26两侧间的间距相等，第一多晶硅栅25覆盖设置于第一薄栅氧化层26上表面，且第一多晶硅栅25的两侧分别与第一薄栅氧化层26的两侧相对应;第二多晶硅栅27两侧间的间距与第二薄栅氧化层28两侧间的间距相等，第二多晶硅栅27覆盖设置于第二薄栅氧化层28上表面，且第二多晶硅栅27的两侧分别与第二薄栅氧化层28的两侧相对应;N阱（11和P阱（12相邻设置于P衬底（10上表面，N阱（11与P阱（12之间彼此相对得一侧相对接，且N阱（11上表面与P阱（12上表面相平齐，N阱11上背向P阱（12的一侧与P衬底（10上对应一侧相平齐，且P阱（12上背向N阱11的一侧与P衬底（10上对应一侧相平齐；定义N阱（11上表面对接其与P衬底（10—侧相平齐的一侧的边缘为起始边，以及定义P阱（12上表面对接其与P衬底（10—侧相平齐的一侧的边缘为终止边;在N阱（11上表面与P阱（12上表面、自起始边至终止边依次相邻设置第一场氧隔离区（20、第一N+注入区13、第二场氧隔离区（21、第一P+注入区（14、第一薄栅氧化层26、第二P+注入区（15、第三场氧隔离区（22、第三P+注入区（16、第二N+注入区（17、第二薄栅氧化层28、第三N+注入区（18、第四场氧隔离区（23、第四P+注入区（19、第五场氧隔离区（24;其中，第一场氧隔离区（20、第一N+注入区（13、第二场氧隔离区（21、第一P+注入区（14、第一薄栅氧化层26、第二P+注入区（15位于N阱（11上表面;第三场氧隔离区（22跨区域位于N阱11上表面和P阱（12上表面；第三P+注入区（16、第二N+注入区（17、第二薄栅氧化层28、第三N+注入区（18、第四场氧隔离区（23、第四P+注入区（19、第五场氧隔离区（24位于P阱（12上表面;起始边与第一场氧隔离区（20其中一侧相对接，第一场氧隔离区（20另一侧与第一N+注入区（13其中一侧相对接，第一N+注入区（13另一侧与第二场氧隔离区21其中一侧相对接，第二场氧隔离区（21另一侧与第一P+注入区（14其中一侧相对接，第一P+注入区（14另一侧与第一薄栅氧化层26其中一侧相对接，第一薄栅氧化层26另一侧与第二P+注入区（15其中一侧相对接，第二P+注入区（15另一侧与第三场氧隔离区22其中一侧相对接，第三场氧隔离区（22另一侧与第三P+注入区（16其中一侧相对接，第三P+注入区（16另一侧与第二N+注入区（17其中一侧相对接，第二N+注入区（17另一侧与第二薄栅氧化层28其中一侧相对接，第二薄栅氧化层28另一侧与第三N+注入区（18其中一侧相对接，第三N+注入区（18另一侧与第四场氧隔离区（23其中一侧相对接，第四场氧隔离区（23另一侧与第四P+注入区（19其中一侧相对接，第四P+注入区（19另一侧与第五场氧隔离区（24其中一侧相对接，第五场氧隔离区（24另一侧与终止边相对接；第一N+注入区（13与第一金属件29其中一端相连接，第一P+注入区（14与第二金属件30其中一端相连接，第一多晶硅栅25与第三金属件31其中一端相连接，第二P+注入区（15与第四金属件32其中一端相连接，第三p+注入区ae与第五金属件33其中=端相连接，第二N+注入区（17与第六金属件C34其中一端相连接，第二多晶硅栅27与第七金属件（35其中一端相连接，第三N+注入区（18与第八金属件36其中一端相连接，第四P+注入区（19与第九金属件37其中一端相连接;第一金属件（29另一端、第二金属件30另一端、第三金属件31另一端均与第十金属件38相连接，并从第十金属件38引出阳极电极41，作为ESD防护器件的阳极;第四金属件32另一端、第五金属件（33另一端、第六金属件34另一端均与第十一金属件39相连接，第七金属件35另一端、第八金属件36另一端、第九金属件37另一端均与第十二金属件40相连接，并从第十二金属件40引出一阴极电极42，作为ESD防护器件的阴极。

百度查询： 南京邮电大学 一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件

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