申请/专利权人：德雷塞尔大学

申请日：2016-04-20

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111662560A

主分类号：C08L101/00(20060101)

分类号：C08L101/00(20060101);C08K7/00(20060101);C08K3/14(20060101);C03C17/22(20060101)

优先权：["20150420 US 62/149,890"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.19#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本公开涉及具有名义晶胞组成M’2M”nXn+1的二维有序双过渡金属碳化物。特别提供了一种复合材料，包含基质材料和分散在所述基质材料中的晶体填充组合物，所述晶体填充组合物包含至少一层，所述层具有第一表面和第二表面，各层包含：基本上二维的晶胞阵列，每个晶胞具有经验式M’2M”nXn+1，使得每个X位于M’和M”的八面体阵列内；其中M’和M”各自包含不同的IIIB、IVB、VB或VIB族金属；每个X是C、N或其组合；n＝1或2，并且其中所述M’原子基本上作为二维外部原子阵列存在于所述二维晶胞阵列内；所述M”原子基本上作为二维内部原子阵列存在于所述二维晶胞阵列内；并且在所述二维晶胞阵列内所述M”原子的二维内部阵列被夹在所述M’原子的二维外部阵列之间。

主权项：1.一种复合材料，其包含：基质材料；以及分散在所述基质材料中的晶体填充组合物，所述晶体填充组合物包含至少一层，所述层具有第一表面和第二表面，各层包含：基本上二维的晶胞阵列，每个晶胞具有经验式M’2M”nXn+1，使得每个X位于M’和M”的八面体阵列内；其中M’和M”各自包含不同的IIIB、IVB、VB或VIB族金属；每个X是C、N或其组合；n＝1或2；并且其中所述M’原子基本上作为二维外部原子阵列存在于所述二维晶胞阵列内；所述M”原子基本上作为二维内部原子阵列存在于所述二维晶胞阵列内；并且在所述二维晶胞阵列内，所述M”原子的二维内部阵列被夹在所述M’原子的二维外部阵列之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德雷塞尔大学 具有名义晶胞组成M’₂M”_nX_n+1的二维有序双过渡金属碳化物

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