申请/专利权人：力旺电子股份有限公司

申请日：2020-03-10

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111813170A

主分类号：G05F1/56(20060101)

分类号：G05F1/56(20060101)

优先权：["20190411 US 62/832,853","20200114 US 16/741,791"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.02.18#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：一种适用于宽范围的供应电压的带差参考电路。不论供应电压的大小变化，带差参考电路所产生的带差电压的变化量会很低。带差参考电路包括：一镜射电路、一输入电路与一运算放大器。镜射电路产生一第一电流流、一第二电流与一第三电流分别流向一第一节点、一第二节点与该带差参考电路的一电压输出端。一输入电路连接至该第一节点用以接收该第一电流，以及连接至该第二节点用以接收该第二电流。运算放大器，具有一正输入端连接至该第一节点，一负输入端连接至该第二节点，一输出端连接至该镜射电路。

主权项：1.一种带差参考电路，包括：一镜射电路，产生一第一电流、一第二电流与一第三电流，其中该第一电流流向一第一节点，该第二电流流向一第二节点，且该第三电流流向该带差参考电路的一电压输出端；一输入电路，连接至该第一节点用以接收该第一电流，以及连接至该第二节点用以接收该第二电流；以及一运算放大器，具有一正输入端连接至该第一节点，一负输入端连接至该第二节点，一输出端连接至该镜射电路；其中，该运算放大器，包括：一第一P型金氧半晶体管，其中该第一P型金氧半晶体管的一源极接收一供应电压，该第一P型金氧半晶体管的一栅极接收一第一偏压电压；一第二P型金氧半晶体管，其中该第二P型金氧半晶体管的一源极连接至该第一P型金氧半晶体管的一漏极，该第二P型金氧半晶体管的一栅极接收一第二偏压电压；一第一N型金氧半晶体管，其中该第一N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第二P型金氧半晶体管的一漏极，且该第一N型金氧半晶体管的一栅极接收一第三偏压电压；一第二N型金氧半晶体管，其中该第二N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一N型金氧半晶体管的一源极，该第二N型金氧半晶体管的一栅极连接至该第二P型金氧半晶体管的该漏极，该第二N型金氧半晶体管的一源极连接至一接地端；一第三P型金氧半晶体管，其中该第三P型金氧半晶体管的一源极接收该供应电压，该第三P型金氧半晶体管的一栅极接收该第一偏压电压；一第四P型金氧半晶体管，其中该第四P型金氧半晶体管的一源极连接至该第三P型金氧半晶体管的一漏极，该第四P型金氧半晶体管的一栅极接收该第二偏压电压，该第四P型金氧半晶体管的一漏极为该运算放大器的该输出端；一第三N型金氧半晶体管，其中该第三N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第四P型金氧半晶体管的该漏极，且该第三N型金氧半晶体管的一栅极接收该第三偏压电压；一第四N型金氧半晶体管，其中该第四N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第三N型金氧半晶体管的一源极，该第四N型金氧半晶体管的一栅极连接至该第二N型金氧半晶体管的该栅极，该第四N型金氧半晶体管的一源极连接至该接地端；一第五N型金氧半晶体管，其中该第五N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一P型金氧半晶体管的该漏极，该第五N型金氧半晶体管的一栅极为该运算放大器的该正输入端；一第六N型金氧半晶体管，其中该第六N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第三P型金氧半晶体管的该漏极，该第六N型金氧半晶体管的一栅极为该运算放大器的该负输入端；以及一参考电流源，其中该参考电流源的一第一端连接至该第五N型金氧半晶体管的一源极以及该第六N型金氧半晶体管的一源极，该参考电流源的一第二端连接至该接地端。

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百度查询： 力旺电子股份有限公司 带差参考电路

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