【发明公布】带差参考电路_力旺电子股份有限公司_202010161590.1 

申请/专利权人:力旺电子股份有限公司

申请日:2020-03-10

发明/设计人:张家福

公开(公告)日:2020-10-23

代理机构:北京市柳沈律师事务所

公开(公告)号:CN111813170A

代理人:李芳华

主分类号:G05F1/56(20060101)

地址:中国台湾新竹科学园区

分类号:G05F1/56(20060101)

优先权:["20190411 US 62/832,853","20200114 US 16/741,791"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.10.23#公开

摘要:一种适用于宽范围的供应电压的带差参考电路。不论供应电压的大小变化,带差参考电路所产生的带差电压的变化量会很低。带差参考电路包括:一镜射电路、一输入电路与一运算放大器。镜射电路产生一第一电流流、一第二电流与一第三电流分别流向一第一节点、一第二节点与该带差参考电路的一电压输出端。一输入电路连接至该第一节点用以接收该第一电流,以及连接至该第二节点用以接收该第二电流。运算放大器,具有一正输入端连接至该第一节点,一负输入端连接至该第二节点,一输出端连接至该镜射电路。

主权项:1.一种带差参考电路,包括:一镜射电路,产生一第一电流、一第二电流与一第三电流,其中该第一电流流向一第一节点,该第二电流流向一第二节点,且该第三电流流向该带差参考电路的一电压输出端;一输入电路,连接至该第一节点用以接收该第一电流,以及连接至该第二节点用以接收该第二电流;以及一运算放大器,具有一正输入端连接至该第一节点,一负输入端连接至该第二节点,一输出端连接至该镜射电路;其中,该运算放大器,包括:一第一P型金氧半晶体管,其中该第一P型金氧半晶体管的一源极接收一供应电压,该第一P型金氧半晶体管的一栅极接收一第一偏压电压;一第二P型金氧半晶体管,其中该第二P型金氧半晶体管的一源极连接至该第一P型金氧半晶体管的一漏极,该第二P型金氧半晶体管的一栅极接收一第二偏压电压;一第一N型金氧半晶体管,其中该第一N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第二P型金氧半晶体管的一漏极,且该第一N型金氧半晶体管的一栅极接收一第三偏压电压;一第二N型金氧半晶体管,其中该第二N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一N型金氧半晶体管的一源极,该第二N型金氧半晶体管的一栅极连接至该第二P型金氧半晶体管的该漏极,该第二N型金氧半晶体管的一源极连接至一接地端;一第三P型金氧半晶体管,其中该第三P型金氧半晶体管的一源极接收该供应电压,该第三P型金氧半晶体管的一栅极接收该第一偏压电压;一第四P型金氧半晶体管,其中该第四P型金氧半晶体管的一源极连接至该第三P型金氧半晶体管的一漏极,该第四P型金氧半晶体管的一栅极接收该第二偏压电压,该第四P型金氧半晶体管的一漏极为该运算放大器的该输出端;一第三N型金氧半晶体管,其中该第三N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第四P型金氧半晶体管的该漏极,且该第三N型金氧半晶体管的一栅极接收该第三偏压电压;一第四N型金氧半晶体管,其中该第四N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第三N型金氧半晶体管的一源极,该第四N型金氧半晶体管的一栅极连接至该第二N型金氧半晶体管的该栅极,该第四N型金氧半晶体管的一源极连接至该接地端;一第五N型金氧半晶体管,其中该第五N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第一P型金氧半晶体管的该漏极,该第五N型金氧半晶体管的一栅极为该运算放大器的该正输入端;一第六N型金氧半晶体管,其中该第六N型金氧半晶体管的一漏极连接至该第三P型金氧半晶体管的该漏极,该第六N型金氧半晶体管的一栅极为该运算放大器的该负输入端;以及一参考电流源,其中该参考电流源的一第一端连接至该第五N型金氧半晶体管的一源极以及该第六N型金氧半晶体管的一源极,该参考电流源的一第二端连接至该接地端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 力旺电子股份有限公司 带差参考电路