申请/专利权人：江南大学

申请日：2019-10-29

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN110726711B

主分类号：G01N21/65(20060101)

分类号：G01N21/65(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.24#授权;2020.02.25#实质审查的生效;2020.01.24#公开

摘要：本发明公开了一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底及构筑方法，属于纳米材料技术领域。本发明基于多次界面自装方法，首先利用气液界面组装过程，构筑小球模板；然后再利用固液界面组装过程，模板诱导半导体碗结构阵列的形成；随后利用转移过程，将半导体碗组装到金字塔形锥体表面，形成仿生复眼结构；最后通过物理沉积法或化学沉积法在仿生复眼结构的表面修饰一层均匀分布的金属粒子，从而形成了一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底。整个过程简单易行。本发明的SERS基底由于其特殊的仿生结构和半导体材料的特殊性质，是一种具有高度敏感、可再生和可重复使用的活性基底。

主权项：1.一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底的构筑方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将直径为0.01～10μm的小球在气液界面进行自组装，得到紧密排列的单层球；（2）将步骤（1）得到的单层球转移到半导体前驱液表面，在小球液面下方的表面原位组装半导体膜，得到下表面附有半导体膜的小球；（3）将步骤（2）得到的下表面附有半导体膜的小球转移到锥形结构基底表面，再去除小球，得到半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底；（4）在步骤（3）得到的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底表面修饰金属粒子，得到金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底；其中，所述的锥形结构基底的高度为1～100μm，所述的金属粒子的粒径为1~100nm；所述的半导体膜的材料为硅、金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物或导电高分子。

全文数据：

权利要求：

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