申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-05-13

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN112002758A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20190527 KR 10-2019-0061678"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.04.22#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：一种半导体器件包括：在衬底上在第一方向上延伸的有源区，该有源区具有上表面和侧壁；多个沟道层，其在有源区上方以彼此竖直间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸以与有源区交叉并部分地围绕所述多个沟道层；以及源极漏极区，其在有源区上在栅电极的至少一侧并与所述多个沟道层接触，并且从有源区的侧壁延伸，并且在与所述多个沟道层当中与有源区相邻的最下沟道层相邻的第一区域中在第二方向上具有大宽度。

主权项：1.一种半导体器件，包括：在衬底上在第一方向上延伸的有源区，所述有源区具有上表面和侧壁；多个沟道层，其在所述有源区上以彼此竖直地间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸以与所述有源区交叉并围绕所述多个沟道层；以及源极漏极区，其在所述有源区上在所述栅电极的至少一侧并与所述多个沟道层接触，并且从所述有源区的侧壁延伸，所述源极漏极区在与所述多个沟道层当中的与所述有源区相邻的最下沟道层相邻的第一区域中在所述第二方向上具有大宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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