申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2020-12-15

公开（公告）日：2021-03-12

公开（公告）号：CN112487755A

主分类号：G06F30/398(20200101)

分类号：G06F30/398(20200101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.09#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本发明公开一种FLTD腔体中瞬态电磁场分布的数值计算方法，包括如下过程：建立单级或多级串联FLTD的三维数值模型；对FLTD三维数值模型进行空间离散，对FLTD初级感应腔内的放电支路、非晶合金磁芯、回流板和分立柱剖分网格进行加密处理；在电路模型中建立每个放电支路的等效电容及其初始充电电压，在开关导通后电容开始放电，将电容的放电电流作为激励耦合至三维场模型；对FLTD三维数值模型的基本参数进行初始化；使用中心差分和蛙跳策略来处理初始化后的FLTD三维数值模型时间离散，实现电磁波在空间和时间上的传播和更新。本发明基于场路耦合的时域有限积分理论，并在建立数值模型时采用了非均匀网格技术和表面阻抗边界条件，能够降低计算量、计算时长较短。

主权项：1.一种FLTD腔体中瞬态电磁场分布的数值计算方法，其特征在于，包括如下过程：建立单级或多级串联FLTD的三维数值模型；根据有限积分理论，采用六面体网格对FLTD三维数值模型进行空间离散，使用非均匀网格和亚网格方法对FLTD初级感应腔内的放电支路、非晶合金磁芯、回流板和分立柱剖分网格进行加密处理；将FLTD的放电支路的等效电容通过外部电路模型的集总电容元件表达并与场模型相连接，在电路模型中建立每个放电支路的等效电容及其初始充电电压，在开关导通后电容开始放电，根据场路耦合原理，将电容的放电电流作为激励耦合至三维场模型；对FLTD三维数值模型的基本参数进行初始化，基本参数包括：设置求解区域、材料参数、电磁场分量、表面阻抗边界条件、理想磁导体对称边界条件以及卷积完全匹配层吸收边界条件；使用中心差分和蛙跳策略来处理初始化后的FLTD三维数值模型时间离散，实现电磁波在空间和时间上的传播和更新。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种FLTD腔体中瞬态电磁场分布的数值计算方法

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