申请/专利权人：新华三半导体技术有限公司

申请日：2021-03-04

公开（公告）日：2021-04-02

公开（公告）号：CN112597729A

主分类号：G06F30/367(20200101)

分类号：G06F30/367(20200101);G06F30/373(20200101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.01#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开

摘要：本申请提供了一种DDRSDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片，所述方法包括：获取DDRSDRAM设计文件；获得用于描述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型；根据无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM；若基于通道裕量COM确定当前的DDRSDRAM通道不满足电性能优化输出条件，则对设计文件中的DDRSDRAM通道进行优化处理；继续执行获取用于描述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDRSDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。由此，大大提高了DDRSDRAM通道的优化处理速度。

主权项：1.一种DDRSDRAM通道的优化方法，其特征在于，包括：获取DDRSDRAM设计文件；获得用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型；根据所述无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM；若基于所述通道裕量COM确定当前的DDRSDRAM通道不满足电性能优化输出条件，则对所述设计文件中的DDRSDRAM通道进行优化处理；并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDRSDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新华三半导体技术有限公司 一种DDR SDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片

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