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【发明公布】一种钽掺杂的CrSi2热电材料的制备方法_九江学院_202110525938.5 

申请/专利权人:九江学院

申请日:2021-05-14

公开(公告)日:2021-08-24

公开(公告)号:CN113292077A

主分类号:C01B33/06(20060101)

分类号:C01B33/06(20060101);H01L35/14(20060101);H01L35/34(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2024.04.09#发明专利申请公布后的驳回;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开

摘要:本发明公开了属于热电材料技术领域的一种钽掺杂的CrSi2热电材料及其制备方法,该材料结构式为TaxCr1‑xSi2,其中元素含量x的变化范围为0x≤0.06。本发明以Ta丝、Cr块和Si块为原料,按照TaxCr1‑xSi2的化学计量比,即Ta:Cr:Si=x:1‑x:2分别称取对应化学计量比重量的Ta丝、Cr块和Si块;通过电弧熔炼、研磨、球磨和热压烧结得到块体热电材料。本发明制备TaxCr1‑xSi2块体热电材料具有制备简单、成本低等优点,其中,Ta0.05Cr0.95Si2在377℃下的无量纲热电优值达到了0.28。因此,本发明新的热电材料具有良好应用前景。

主权项:1.一种钽掺杂的CrSi2热电材料的制备方法,其特征在于,所述钽掺杂CrSi2热电材料的制备包括以下步骤:1所述钽掺杂CrSi2热电材料的化学结构式为TaxCr1-xSi2,按照化学计量比,即Ta:Cr:Si=x:1-x:2,其中,0x≤0.06,分别称取对应化学计量比重量的Ta丝、Cr块和Si块,并放入电弧熔炼炉的水冷铜坩埚中;再抽真空到小于0.1Pa,然后冲入高纯氩气且达到一个标准大气压时,在80A的电弧电流时熔炼4mins,然后用手动翻转装置将熔炼后的块体材料翻转过来,再进行熔炼,反复熔炼四次,获得TaxCr1-xSi20x≤0.06块状合金。2碾碎电弧熔炼获得的块状TaxCr1-xSi2合金至细小的颗粒状,装入玛瑙球罐,玛瑙球和TaxCr1-xSi2合金材料的比例为15:1,球磨转速220rpm,球磨时间8小时。3球磨后的粉末材料装入石墨模具中,在高真空或惰性气氛下,在50~60MPa的轴向压力,升温速率为20℃min,在1100~1250℃的环境中热压60~120mins得到致密度高和纯度高的TaxCr1-xSi2块体热电材料,其中,0x≤0.06。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 九江学院 一种钽掺杂的CrSi2热电材料的制备方法

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