申请/专利权人：华东师范大学

申请日：2019-11-26

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN111129934B

主分类号：H01S3/108(20060101)

分类号：H01S3/108(20060101);H01S3/094(20060101);G02F1/35(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.12#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂微腔可调光频梳及其制备方法，先利用飞秒激光直写结合化学机械抛光技术在铌酸锂薄膜材料上制备出铌酸锂微腔与集成电极，再通过集成电极对产生光频梳的铌酸锂微腔进行调控，进而实现基于铌酸锂微腔可调光频梳的微纳结构。本发明基于铌酸锂微腔的可调光频梳具有空间形状可任意设计、尺寸可调、高调控效率和高调控范围的特点，在光钟、光通讯、精密光谱探测和量子计算等高科技领域具有很大应用前景。

主权项：1.一种基于铌酸锂微腔可调光频梳的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：步骤1：准备铌酸锂薄膜材料并镀铬膜铌酸锂薄膜材料共三层：第一层是铌酸锂单晶薄膜，厚度100nm-5μm；第二层是二氧化硅薄膜层，厚度1μm-10μm；第三层是铌酸锂基底层,厚度100μm-1mm；并在所述的铌酸锂薄膜材料表面镀上铬膜层，厚度50nm-900nm；步骤2：飞秒激光直写将所述表面镀铬膜的铌酸锂薄膜材料固定在一台三维可计算机编程控制位移平台上，通过显微物镜将飞秒激光聚焦在所述的薄膜材料表面的铬膜层上，按计算机编程驱动位移平台运动同时启动飞秒激光直写过程，在铌酸锂薄膜材料表面的铬膜层进行去除并直写出所需要的平面掩模图案；步骤3：化学机械抛光将飞秒激光直写后的铌酸锂薄膜材料置于机械抛光机内，使用化学抛光液对其表面进行化学机械抛光；铌酸锂薄膜材料表面上没有被飞秒激光直写去除的铬膜保护住铌酸锂薄膜不被化学机械抛光刻蚀，其他区域的铌酸锂薄膜材料被抛光刻蚀为二氧化硅支撑层，最终得到所要的铌酸锂微腔结构；步骤4：二次飞秒激光直写将飞秒激光再次聚焦在抛光后的铌酸锂薄膜材料表面，并只对铌酸锂微腔结构的上表面部分铬膜进行选择性直写去除，得到直径小于微腔的圆形电极；步骤5：湿法化学腐蚀将飞秒激光再次直写后的薄膜材料放入化学腐蚀溶液中，对所述的铌酸锂微腔的二氧化硅支撑层进行化学腐蚀，得到直径小于微腔的圆形二氧化硅支柱，进而得到悬空的铌酸锂微腔和集成电极即所述基于铌酸锂微腔可调光频梳。

全文数据：

权利要求：

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