申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-07-29

公开（公告）日：2021-11-02

公开（公告）号：CN113591038A

主分类号：G06F17/18(20060101)

分类号：G06F17/18(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本发明提供了一种缺陷忽视区域的自计算方法及装置，在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域；沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，并判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域，实现自计算缺陷忽视区域的边界，从而能够解决所述缺陷忽视区域过大漏掉关键性的缺陷或者所述缺陷忽视区域过小干扰信号过多的问题。

主权项：1.一种缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，包括：在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域；沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，并判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 缺陷忽视区域的自计算方法及装置

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