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【发明公布】SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、装置及介质_威海银创微电子技术有限公司_202210154554.1 

申请/专利权人:威海银创微电子技术有限公司

申请日:2022-02-21

公开(公告)日:2022-03-25

公开(公告)号:CN114242578A

主分类号:H01L21/28(20060101)

分类号:H01L21/28(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.06.17#授权;2022.04.12#实质审查的生效;2022.03.25#公开

摘要:本发明涉及半导体技术领域,揭露了一种SGTMosfet中IPO厚度的可控方法,包括:将非掺杂氧化硅及源极多晶硅沉积在硅沟槽衬底的沟槽内,得到初始沉积沟槽,去除部分非掺杂氧化硅,得到原始待氧化沉积沟槽,在源极多晶硅的表面植入氮原子,得到目标待氧化多晶硅层,氧化目标待氧化多晶硅层及原始待氧化沉积沟槽的内壁,分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层,在目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层的表面,沉积栅极多晶硅,完成IPO厚度的调控。本发明还提出一种SGTMosfet中IPO厚度的可控装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决改善源极和栅极的耐压不足和漏电的现象时,需要耗费较高的人力物力,制造成本较高的问题。

主权项:1.一种SGTMosfet中IPO厚度的可控方法,其特征在于,所述方法包括:获取硅沟槽衬底,将预构建的非掺杂氧化硅及源极多晶硅,在所述硅沟槽衬底的沟槽内进行沉积,得到初始沉积沟槽;按照预定的深度去除标准,将所述初始沉积沟槽中的部分非掺杂氧化硅进行去除,得到原始待氧化沉积沟槽;利用预构建的植氮设备,在所述原始待氧化沉积沟槽内的源极多晶硅的表面,植入预定浓度及能量的氮原子,得到目标待氧化多晶硅层;氧化所述目标待氧化多晶硅层及所述原始待氧化沉积沟槽的内壁,分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层;在所述目标厚度IPO氧化层及所述目标厚度栅极氧化层的表面,沉积预构建的栅极多晶硅,完成IPO厚度的调控。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 威海银创微电子技术有限公司 SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、装置及介质

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