申请/专利权人：海南师范大学

申请日：2022-03-23

公开（公告）日：2022-06-24

公开（公告）号：CN114665382A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/30;H01S5/22;H01S5/024;H01S5/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要：高效散热深刻蚀双沟道脊形量子级联激光器及制造方法，该方法步骤包括：在InP衬底上生长下包层、有源区和上包层；沉积一层硬掩膜并通过薄光刻胶和UV光刻定义激光波导图像，通过反应性离子蚀刻将波导图像转移到SiO2硬掩膜层；去除光刻胶并依次刻蚀上包层、有源区和下包层；在上包层上沉积欧姆接触作为激光器顶接触电极，在衬底底部沉积欧姆接触用作激光器的底接触电极；该激光器包括，InP衬底、下包层、有源区和上包层；上包层、有源区和下包层均通过刻蚀成为与激光波导图像相同的形状；本发明采用深刻蚀的方法将脊形波导的刻蚀深度延伸到有源区以下的下包层和衬底，可以提高器件散热性能的同时，还可以减小有源区应变，进而提高器件寿命和工作稳定性。

主权项：1.一种高效散热深刻蚀双沟道脊形量子级联激光器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在InP衬底上自下而上依次生长下包层、有源区和上包层；在上包层上沉积一层SiO2硬掩膜，并通过光刻胶和UV光刻定义激光波导图像；使用CHF3+SF6+O2混合气体刻蚀，并通过反应性离子蚀刻将激光波导图像转移到SiO2硬掩膜层；去除光刻胶，并依次刻蚀所述上包层、所述有源区和所述下包层；在上包层上沉积欧姆接触作为激光器一个顶接触电极，在衬底底部沉积欧姆接触用作激光器的另一个底接触电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 海南师范大学 高效散热深刻蚀双沟道脊形量子级联激光器及制造方法

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