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【发明公布】具有选择性命令延迟的半导体装置及相关联方法和系统_美光科技公司_202080085460.2 

申请/专利权人:美光科技公司

申请日:2020-11-11

公开(公告)日:2022-07-22

公开(公告)号:CN114787923A

主分类号:G11C11/406

分类号:G11C11/406;G11C11/4076;G11C11/408;G06F3/06

优先权:["20191231 US 62/955,701","20200403 US 16/839,371"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要:描述了存储器装置、包含存储器装置的系统以及操作存储器装置的方法,其中存储器装置经配置以将可变延迟添加到命令。可由主机装置例如,测试设备使用所述存储器装置的测试模式提供所述可变延迟。替代地,所述可变延迟可存储于所述存储器装置的非易失性存储器NVM组件中。另外,可设定所述存储器装置的模式寄存器以指示所述命令与存储于所述NVM组件中的所述可变延迟相关联。另外,所述存储器装置可包含经配置以将所述可变延迟添加到所述命令的延迟组件。此类可变延迟便于跨多个存储器装置交错地执行所述命令,以便避免或缓解与从连接到所述存储器装置的电源汲取的瞬时、大量的电流有关的问题。

主权项:1.一种设备,其包括:存储器阵列;第一延迟组件,其存储第一延迟,且经配置以对涉及所述存储器阵列的第一命令产生所述第一延迟;与所述存储器阵列和所述第一延迟组件耦合的外围电路,所述外围电路经配置以:从主机装置接收所述第一命令;确定所述半导体装置的测试模式是被激活还是被去激活;以及在所述测试模式被激活时启用所述第一延迟组件,并且在所述测试模式被去激活时绕过所述第一延迟组件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 具有选择性命令延迟的半导体装置及相关联方法和系统

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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。