申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2022-04-14

公开（公告）日：2022-08-05

公开（公告）号：CN114859670A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027;H01L23/544

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明提供一种表征自对准成像工艺套刻误差量测准确性的testkey及应用方法，横向以及与横向垂直的纵向；切割层图形和心轴图形组成的两层数据；其中心轴图形由中心图形和两侧图形组成；中心图形由多个沿横向间隔分布的多边形组成；切割层图形由多个沿纵向间隔分布的多边形组成，并且切割层图形叠放在中心图形上；两侧图形位于中心图形的两侧；中心图形由多个沿横向X间隔分布的多边形组成。本发明通过testkey的设计使SADP切割层刻蚀后产生印记，同时保持testkey的刻蚀行为与中心图形一致；通过testkey的量测直接对切割层的套刻误差进行量测；可以通过testkey的量测结果对套刻误差间接量测方法的准确性进行表征。

主权项：1.表征自对准成像工艺套刻误差量测准确性的testkey，其特征在于，至少包括：横向X以及与所述横向X垂直的纵向Y；切割层图形和心轴图形组成的两层数据；其中所述心轴图形由中心图形和两侧图形组成；所述中心图形由多个沿所述横向X间隔分布的多边形组成；所述切割层图形由多个沿所述纵向Y间隔分布的多边形组成，并且所述切割层图形叠放在所述中心图形上；所述两侧图形位于所述中心图形的两侧；所述中心图形由多个沿所述横向X间隔分布的多边形组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 表征自对准成像工艺套刻误差量测准确性的testkey及应用方法

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