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申请/专利权人：成都明夷电子科技有限公司
摘要：本发明提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的共源共基放大器，包括输入匹配单元、第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元、输出阻抗匹配单元；与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。本发明在输入级采用MOS晶体管，相比HBT晶体管，在较高频率下获得了更低的噪声系数；输入级采用复合晶体管结构，提高了电路的功率增益；本发明采用的共源共基结构，减小了器件的密勒效应，有效地扩展了工作频带。
主权项：1.一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器，其特征在于，包括采用四级差分放大结构依次连接的输入匹配单元、第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元、输出阻抗匹配单元；所述第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元结构都包括输入匹配网络和差分放大电路；所述差分放大电路中设置有基于SiGe-BiCMOS工艺的HBT晶体管和MOS晶体管；所述第一级差分共源共基单元的输入匹配网络与输入匹配短线和第一级差分共源共基单元的差分放大电路连接；第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元之间，由上一级的差分放大单元的差分放大电路与下一级的差分放大单元的输入匹配单元之间进行连接；所述第四级差分共源共基单元的差分放大电路与所述输出阻抗匹配单元连接。
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百度查询： 成都明夷电子科技有限公司 一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器
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