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【发明公布】FLASH测试装置、测试方法及存储介质_深圳市晶存科技有限公司_202211110178.2 

申请/专利权人:深圳市晶存科技有限公司

申请日:2022-09-13

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115424653A

主分类号:G11C29/10

分类号:G11C29/10;G11C29/12;G11C29/18

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.12.02#公开

摘要:本申请公开了一种FLASH测试装置、方法及存储介质,涉及存储芯片测试技术领域,包括:测试座、电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块、总控模块,测试座用于安装FLASH芯片,电压调节模块与测试座电连接,用于逐级调节输入到FLASH芯片的测试电压,电流采集模块与测试座电连接,用于采集FLASH芯片根据逐级调节的测试电压生成的测试电流和待机电流,读写控制模块与测试座电连接,用于向FLASH芯片写入存储数据或者将存储数据读出,总控模块用于对写入的数据和读出的数据进行比较,对FLASH芯片中写入数据和读出数据不一致的块进行标记,生成所述FLASH芯片的坏块信息。本申请能够适应不同工作电压下的读写测试与电流测试,丰富测试条件。

主权项:1.一种FLASH测试装置,其特征在于,包括:测试座,所述测试座用于安装FLASH芯片;电压调节模块,所述电压调节模块与所述测试座电连接,用于向所述FLASH芯片输入不同的测试电压;电流采集模块,所述电流采集模块与所述测试座电连接,用于采集所述FLASH芯片的测试电流和待机电流;读写控制模块,所述读写控制模块与所述测试座电连接,用于向所述FLASH芯片写入存储数据或者将所述存储数据读出;总控模块,所述总控模块与所述电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块电连接,所述总控模块用于:控制所述电压调节模块向所述FLASH芯片输入不同的测试电压;在不同的测试电压下获取所述电流检测模块检测的测试电流和待机电流;在不同的测试电压下,根据读写控制模块的写入存储数据和将所述存储数据的比较值,生成所述FLASH芯片的第一坏块信息;根据所述第一坏块信息和对应的测试电流和待机电流,用于对所述FLASH芯片进行质量分级。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市晶存科技有限公司 FLASH测试装置、测试方法及存储介质

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