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【发明授权】半导体传感器器件以及用于制备所述半导体传感器器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_201811352529.4 

申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

申请日:2018-11-14

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN109860311B

主分类号:H01L31/0203

分类号:H01L31/0203;H01L31/0216;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H01L21/31

优先权:["20171114 DE 102017220258.0"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.12.02#授权;2019.07.02#实质审查的生效;2019.06.07#公开

摘要:公开了半导体传感器器件以及用于制备所述半导体传感器器件的方法。半导体传感器器件可以包括:衬底,其包括第一主面以及与第一主面相对的第二主面;半导体元件,其包括感测区域,半导体元件被布置在衬底的第一主面上并且被电耦合到衬底;封盖,其被布置在衬底的第一主面上并且形成腔体,其中半导体元件被布置在腔体中;以及气相沉积的电介质涂层,其覆盖半导体元件以及衬底的第一主面,气相沉积的电介质涂层具有在感测区域上方的开口,其中,衬底的第二主面至少部分地没有气相沉积的电介质层。

主权项:1.一种半导体传感器器件,包括:衬底,其包括第一主面以及与第一主面相对的第二主面;半导体元件,其包括感测区域,半导体元件被布置在衬底的第一主面上并且被电耦合到衬底;封盖,其被布置在衬底的第一主面上并且形成腔体,其中半导体元件被布置在腔体中;以及气相沉积的电介质涂层,其覆盖半导体元件以及衬底的第一主面,气相沉积的电介质涂层具有在感测区域上方的开口,其中,衬底的第二主面至少部分地没有气相沉积的电介质层。

全文数据:半导体传感器器件以及用于制备所述半导体传感器器件的方法技术领域本公开一般而言涉及半导体传感器器件,特别是包括气相沉积的电介质涂层的半导体传感器器件,并且涉及用于制备半导体传感器器件的方法。背景技术在大量应用领域中采用半导体传感器器件,所述应用领域中的很多可能以其中半导体传感器器件不得不依然正确地运转的不利环境为特征。更进一步地,在制备期间,半导体传感器器件可能不得不通过各种测试,并且这样的测试可能包括使半导体传感器器件经受腐蚀性化学品。因此必需为半导体传感器器件提供足够的保护性覆盖。然而,常规的保护性覆盖物可能并非在每一方面具有最优性质。例如,常规的保护性覆盖物可能由于热膨胀系数的失配而将应力引入到半导体传感器器件中,或者常规的保护性覆盖物可能是过度昂贵的。通过本公开从而解决这些和其它问题。发明内容各个方面有关于半导体传感器器件,包括:衬底,其包括第一主面以及与所述第一主面相对的第二主面;半导体元件,其包括感测区域,所述半导体元件被布置在所述衬底的所述第一主面上并且电耦合到所述衬底;封盖,其被布置在所述衬底的所述第一主面上并且形成腔体,其中,所述半导体元件被布置在所述腔体中;以及气相沉积的电介质涂层,其覆盖所述半导体元件以及所述衬底的所述第一主面,所述气相沉积的电介质涂层具有在所述感测区域上方的开口,其中,所述衬底的所述第二主面至少部分地没有所述气相沉积的电介质层。各个方面有关于用于制备半导体传感器器件的方法,其中所述方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一主面以及与所述第一主面相对的第二主面;在所述衬底的所述第一主面上布置包括感测区域的半导体元件,并且使所述半导体元件电耦合到所述衬底;在所述衬底的所述第一主面上布置封盖,以使得所述封盖形成腔体,其中,所述半导体元件被布置在所述腔体中;在所述半导体元件以及所述衬底的所述第一主面上气相沉积电介质涂层;以及在所述感测区域上的所述气相沉积的电介质涂层中制备开口,其中,所述衬底的所述第二主面至少部分地没有所述气相沉积的电介质涂层。附图说明随附附图图示示例并且连同说明书一起用来解释本公开的原理。由于通过参照以下的详细描述从而本公开的其它示例以及许多所意图的优点变得被更好理解,所以它们将是容易领会的。附图的要素未必相对于彼此成比例。同样的参考标号指明对应的相似部分。图1示出半导体传感器器件的示例的横截面。包括图2A至图2I的图2示出用于制备半导体器件的方法的示例。包括图3A至图3D的图3示出用于制备半导体器件的方法的进一步的示例,其中,可以采用与图2中示出的方法相比的不同的动作顺序。包括图4A和图4B的图4示出半导体传感器器件的进一步的示例的横截面,其中,半导体传感器器件包括与图1中示出的器件相比的附加的半导体管芯。图5示出化合物衬底以及包括耦合到化合物衬底的锁定机构的覆盖物的横截面。图6示出根据本公开的半导体传感器器件的进一步的示例。具体实施方式在以下的详细描述中,参照随附附图。然而,对于本领域技术人员可以显见的是,可以利用更低程度的特定细节实践本公开的一个或多个方面。在其它实例中,以示意性的形式示出已知的结构和要素,以便促进描述本公开的一个或多个方面。在这点上,参照正被描述的(多个)图的定向使用方向性术语(诸如“顶部”、“底部”、“左”、“右”、“上”、“下”等)。因为本公开的组件可以沿着许多不同的定向定位,所以为了说明的目的使用方向性术语并且方向性术语绝不是进行限制。要理解的是,在不脱离本发明的范围的情况下可以利用其它示例并且可以作出结构或逻辑上的改变。此外,虽然可能关于若干实现中的仅一个公开了示例的特定的特征或方面,但是如对于任何给定的或特定的应用而言可能是想要的并且有利的是,这样的特征或方面可以与其它实现的一个或多个其它特征或方面组合,除非另外具体地指明或者除非在技术上受约束。更进一步地,在术语“包括”、“具有”、“带有”或它们的其它变形被用在详细描述或权利要求中的程度上,这样的术语意图以类似于术语“包括”的方式而是包括性的。可以使用术语“耦合”和“连接”连同它们的衍生词。应当理解的是,这些术语可以被用于指示两个要素彼此协作或交互而无论它们是直接物理地或在电气上接触还是它们并非彼此直接接触;可以在“接合的”、“附接的”或“连接的”元件之间提供介于中间的元件或层。另外,术语“示例性”仅意味着示例而非最佳或最优。因此,并非在限制的意义上取得以下的详细描述,并且本发明的范围由所附权利要求限定。下面进一步描述的半导体元件或半导体管芯可以是不同类型的,可以通过不同的技术制造,并且可以包括例如集成电路、电光电路或机电电路和或无源电路、逻辑集成电路、控制电路、微处理器、传感器器件、存储器器件等。半导体传感器器件以及用于制备半导体传感器器件的方法的示例可以使用各种类型的半导体管芯或合并在半导体管芯中的电路,在它们当中有逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电气电路、传感器电路、MEMS(微机电系统)、功率集成电路、具有集成的无源部的芯片等。可以由特定的半导体材料(例如Si、SiC、SiGe、GaAs、GaN)或者由任何其它半导体材料制造(多个)半导体芯片或管芯。以下描述的器件可以包括一个或多个半导体芯片。通过示例的方式,一个或多个逻辑集成电路可以被包括在器件中。逻辑集成电路可以被配置为控制其它半导体芯片的集成电路(例如半导体传感器芯片的集成电路)。可以在逻辑芯片中实现逻辑集成电路。(多个)半导体芯片可以具有接触焊盘(或电极),其允许进行与(多个)半导体芯片中所包括的集成电路的电接触。电极可以被全都布置在(多个)半导体芯片的仅一个(多个)主面处或者在(多个)半导体芯片的两个主面处。它们可以包括应用于(多个)半导体芯片的半导体材料的一个或多个电极金属层。可以利用任何想要的几何形状以及任何想要的材料组分制造电极金属层。例如,它们可以包括如下材料或者由如下材料制成:所述材料选择于由如下构成的组:Cu、Ni、NiSn、Au、Ag、Pt、Pd、这些金属中的一个或多个的合金、导电有机材料或导电半导体材料。(多个)半导体芯片可以被接合到载体或衬底。载体可以是(永久)器件载体。载体可以包括或构成自任何种类的材料(如例如陶瓷或金属材料、铜或铜合金或铁镍合金)。载体可以机械地以及电气地与(多个)半导体芯片的一个接触元件连接。(多个)半导体芯片可以通过焊接或者借助于粘接剂的粘接而连接到载体。在铜或铁镍载体的情况下,可能想要的是使用包括或构成自AuSn、AgSn、CuSn、AgIn、AuIn或CuIn的焊接材料。替换地,如果(多个)半导体芯片要被粘接到载体,则可以使用导电的或非导电的粘接剂。粘接剂可以例如基于环氧树脂。(多个)半导体芯片的接触元件可以包括扩散阻挡物。扩散阻挡物在扩散焊接的情况下防止焊接材料从载体扩散到(多个)半导体芯片中。接触元件上的薄钛层可以例如实现这样的扩散阻挡物。在若干示例中,层或层堆叠被施加到彼此,或者材料被施加或沉积到层上。应当领会的是,如“施加”或“沉积”的任何这样的术语意味着在字面上覆盖将层施加到彼此上的所有种类和技术。特别是,它们意味着覆盖其中各层被作为整体立即施加的技术(如例如层叠技术)以及其中以顺序方式沉积各层的技术(如例如溅射、镀制、模制、CVD等)。以下所描述的半导体传感器器件可以是不同类型的传感器器件(例如压力传感器、胎压力监测传感器、气体传感器、电容传感器等)。在制备期间,半导体传感器器件可能经受一个或多个特定测试以便确保功能性。本领域中已知的这样的测试的示例是强酸混合测试、碘蒸汽测试、加蓝测试、二碘甲烷测试以及肥皂水测试。根据本公开的半导体传感器器件包括保护性层(特别是,气相沉积的电介质涂层),其可以保护半导体传感器器件的关键部分。例如,保护性层可以保护半导体元件、接合布线、衬底、衬底中所包括的电连接器以及半导体传感器元件的封盖中的一个或多个。保护性层可以在测试(如上面描述的测试)期间保护关键部分例如抵抗腐蚀。更进一步地,保护性层可以在正常的半导体传感器器件操作期间保护关键部分。半导体传感器器件可以被配置为根据消费者的需求使用在不同的环境中。例如,半导体传感器器件可以被配置为使用在汽车应用中(例如在胎内部或在排气管道中)。保护性层或气相沉积的电介质涂层可以包括或构成自如上面描述的在测试期间或在半导体传感器器件操作期间提供足够的保护的任何合适的电介质材料。根据示例,保护性层或气相沉积的电介质涂层可以包括或构成自聚合物(特别是,聚对二甲苯)。可以使用的聚对二甲苯的示例是聚对二甲苯N、聚对二甲苯C、聚对二甲苯D以及氟化聚对二甲苯(如聚对二甲苯HT)。图1示出根据本公开的半导体传感器元件100的示例。半导体元件100包括衬底110、半导体元件120、封盖130以及保护性层或气相沉积的电介质涂层140。气相沉积的电介质涂层140可以完全覆盖衬底110、半导体元件120和封盖130中的一个或多个。衬底110可以包括第一主面112、与第一主面112相对的第二主面114以及连接第一主面112和第二主面114的侧面116。侧面116可以是切割区域,其中通过沿着侧面116进行切割来将半导体传感器器件100单体化。衬底110可以是实质上平坦的,并且可以例如包括或构成自层叠、印刷电路板(PCB)、引线框(特别是模制引线框)或直接铜接合(DCB)。衬底110可以包括电绝缘主体以及布置在主体中的电接触118。例如,电接触118可以包括或构成自Cu、Al、Ag或Au。根据示例,电接触118包括从第一主面112延伸到第二主面114的过孔。半导体元件120可以被布置在衬底110的第一主面112上。半导体元件120可以是半导体感测元件,并且可以包括感测区域122。感测区域122可以被布置在半导体元件120的上主面中,其中上主面背对衬底110。感测区域122可以是对于辐射(例如UV辐射、可见光或红外光)灵敏的。根据另一示例,感测区域122可以是电容性感测元件。感测区域122可以包括微机电系统(MEMS)。半导体元件120可以是半导体管芯(例如裸露的管芯)。半导体元件120可以被电耦合到衬底110(例如电耦合到电接触118)。根据示例,半导体元件120可以通过接合布线150耦合到衬底110。半导体传感器器件100可以包括一个或多个进一步的半导体元件。例如,进一步的半导体元件可以包括专用集成电路。进一步的半导体元件可以是控制管芯,所述控制管芯被配置为控制半导体元件120。封盖130可以被布置在衬底110的第一主面112上,以使得半导体元件120被布置在由封盖130形成的腔体160中。任何进一步的半导体元件也可以被布置在腔体160中。封盖130可以被配置为保护半导体元件120免受外部力。封盖130可以包括或构成自金属(例如Al或Fe)或金属合金。封盖130可以包括或构成自聚合物。封盖130包括孔口132,所述孔口132被配置为将腔体160与封盖130的外部连接。孔口132可以被竖向地布置在感测区域122之上,或者其可以被布置成关于感测区域122横向地移置。封盖130可以被配置为对半导体元件120提供屏蔽,例如以便提供电磁兼容性(EMC)。封盖130可以借助于粘接、胶合、焊接或熔接附接到衬底110。在使用胶合的情况下,封盖130可以根据示例胶合在气相沉积的电介质涂层140的顶部上,并且封盖130可以根据另一示例直接胶合到衬底110的第一主面112上(在此情况下,可以已经从封盖130的指定附接点局部地移除气相沉积的电介质涂层140)。气相沉积的电介质涂层140可以(完全)覆盖衬底110的半导体元件120、接合布线150和第一主面112。特别是,气相沉积的电介质涂层140可以在腔体160内部并且在腔体160外部覆盖第一主面112。根据示例,气相沉积的电介质涂层140也可以(完全)覆盖封盖130(特别是,面对腔体160的封盖130的内表面以及面对外部的封盖130的外表面(在图1中示出该情况))。根据另一示例,封盖130未被气相沉积的电介质层覆盖。在封盖130由金属或金属合金构成的情况下,气相沉积的电介质涂层140可以例如覆盖封盖130,并且在封盖130包括聚合物的情况下,其可以不覆盖封盖130。气相沉积的电介质涂层140可以具有均匀的厚度或本质上均匀的厚度。气相沉积的电介质涂层140可以具有在500nm-70μm(特别是,700nm-50μm,更特别地1μm-25μm,并且甚至更特别地1μm-10μm)的范围中的厚度。衬底110的第二主面114并未被气相沉积的电介质涂层140覆盖,或者至少部分地未被气相沉积的电介质涂层140覆盖(例如,电接触118可以是暴露的)。更进一步地,根据示例,侧面116未被气相沉积的电介质涂层140覆盖。气相沉积的电介质涂层140包括布置在感测区域122上方的开口142。开口142可以被定尺寸以使得感测区域122的竖向投影可以配合到开口142中。根据另一示例,开口142的大小可以小于感测区域122。在常规的半导体传感器器件中,可以利用电介质衬料(部份地)填充腔体160,以便保护半导体元件120和接合布线150免受腐蚀。然而,这样的电介质衬料可能具有与半导体传感器器件的其它组件不同的热膨胀系数(CTE),并且可能具有进一步的问题。由于气相沉积的电介质涂层140,半导体传感器器件100有利地不要求这样的电介质衬料。除去半导体元件120和接合布线150,半导体传感器器件100的腔体160可以因此是空的或本质上是空的。半导体传感器器件100可以进一步包括球状顶部170,其被布置在半导体元件120的上主面上(特别是感测区域122上)。可以在开口142处从气相沉积的电介质涂层140至少部分地暴露球状顶部170。换言之,气相沉积的电介质涂层140可以至少部分地被布置在球状顶部170上。球状顶部170可以包括硅酮和填充物颗粒。填充物颗粒可以被配置为散射具有在180nm至300nm(特别是193nm至266nm)以及5μm至12μm(远红外,特别是6.5μm至11μm)中的一个或多个的范围中的波长的光。填充物颗粒可以包括或构成自CaCO3。球状顶部170中的填充物颗粒的份额可以大于10%、大于20%、大于30%、大于40%、大于50%、大于60%、大于70%、大于80%、大于90%、以及大于95%。包括图2A-图2I的图2示出根据本公开的用于制备半导体传感器器件200的示例性方法。半导体传感器器件200可以与半导体传感器器件100相同,并且同样的参考标号表示同样的部分。在图2A中,提供化合物衬底210。化合物衬底210可以包括许多衬底110,所述衬底110在它们的侧面116处连接。虽然图2A仅示出两个衬底110,但是化合物衬底210可以包括更大得多的数量的衬底110。在图2B中,半导体元件120经由粘接剂或焊接层220安装在衬底110上。更进一步地,例如,半导体元件120被通过将半导体元件120的上主面上的电极耦合到电接触118的接合布线150电连接到衬底110。在图2C中,球状顶部170被分配在每个感测区域122的顶部上。例如,包括填充物颗粒的球状顶部材料的小滴可以被分配到每个感测区域122上以使得球形帽形成,其完全覆盖感测区域122。在分配之后,可以例如通过施加热量来固化球状顶部170。在图2D中,例如通过将封盖130胶合、焊接或熔接到衬底110来将封盖130附接到衬底110。在图2E中,覆盖物230被施加到化合物载体210。覆盖物230可以完全覆盖衬底110的第二主面114。根据示例,覆盖物230包括粘接箔片。粘接箔片可以被层叠到化合物衬底210上。根据另一示例,覆盖物230包括掩模(例如以软硅酮或相似材料制成的掩模)。可以以直到化合物衬底210的厚度的一半或甚至三分之二来将化合物衬底210按压到掩模中。覆盖物230可以被配置为密封衬底110的第二主面114(特别是在第二主面114处所暴露的电接触118的部分)。根据示例,可以在图2A-图2D中示出的动作中的任何一个之前执行利用覆盖物230覆盖化合物衬底210。更进一步地,可以从供应商获得已经由覆盖物230覆盖的化合物衬底210。在图2F中,气相沉积电介质涂层140。例如,可以使用化学气相沉积(CVD)技术来沉积电介质涂层140。因为腔体160被通过开口132连接到外部,所以电介质涂层140也沉积在腔体160内部的所有表面上。化合物衬底210的侧面216(至少侧面216的未被覆盖物230保护的那些部分)也被气相沉积的电介质涂层140覆盖。覆盖物230防止电介质涂层沉积在衬底110的第二主面114上。在图2G中,已经从化合物衬底210移除覆盖物230。例如,在覆盖物230是粘接箔片的情况下,粘接箔片可以被剥离。移除覆盖物230可以包括施加热量或辐射。气相沉积的电介质涂层140的附属物240可以仍然附接到化合物衬底210的侧面216。根据示例,在移除覆盖物230之后,可以使用清理处理来移除覆盖物230的残余物(特别是在电接触118上的残余物)。清理处理可以包括化学清理处理和机械清理处理中的一个或多个。在图2H中,在感测区域122和球状顶部170之上至少部分地移除气相沉积的电介质涂层140。移除气相沉积的电介质涂层140可以例如包括激光烧蚀处理。激光可以例如具有在180nm-300nm(特别是193nm-266nm)的范围中的波长或者具有在5μm-12μm(特别是6.5μm-11μm)的范围中的波长。球状顶部170中的填充物颗粒可以散射激光,并且可以因此防止激光损坏感测区域。在图2I中,通过沿着切割道切割化合物衬底210来将半导体传感器器件200单体化。包括图3A-图3D的图3示出根据本公开的用于制备半导体传感器器件300的示例性方法的进一步的示例。除了下面描述的差异之外,半导体传感器器件300可以与半导体传感器器件100和200相同。相似的参考标号指定相似的部分。图3A示出化合物衬底210,其中半导体元件120被附接到化合物衬底并且被电耦合到化合物衬底并且球状顶部170被布置在半导体元件上,如关于图2A-图2C所描述的那样。更进一步地,提供覆盖化合物衬底的第二主面的覆盖物230,如关于图2E所描述的那样。如图3B中示出那样,电介质涂层140被沉积在衬底的第一主面112、半导体元件120、接合布线150以及球状顶部140上。如图3C中示出那样,如关于图2D所描述的那样附接封盖130。可以(例如如关于图6所描述的那样使用激光)局部地移除气相沉积的电介质涂层140以便附接封盖130,或者封盖可以被附接在气相沉积的电介质涂层140的顶部上,如上面进一步描述的那样。因为在已经沉积电介质涂层140之后提供封盖130,所以封盖130未被气相沉积的电介质涂层140涂敷。封盖130可以因此包括其自身的涂层,或者其可以由耐受腐蚀的材料构成。如图3D中示出那样,可以通过切割化合物衬底230来将半导体传感器器件300单体化,如关于图2I所描述的那样。包括图4A和图4B的图4示出根据本公开的半导体传感器器件400和450的两个进一步的示例。除了下面描述的差异之外,半导体传感器器件400和450可以与半导体传感器器件100、200或300中的任何一个相同。图4A示出半导体传感器器件400包括进一步的半导体管芯410,其被与半导体元件120并排布置。进一步的半导体管芯410可以是控制管芯,其被配置为控制半导体(传感器)元件120。图4B中示出的半导体传感器器件450具有半导体元件120和进一步的半导体管芯410的不同布置。半导体元件120被堆叠在进一步的管芯410的顶部上。在半导体传感器器件400、450这两者中,进一步的半导体管芯410被气相沉积的电介质涂层140所覆盖。半导体传感器器件400、450的封盖130可以被或者可以不被气相沉积的电介质涂层140覆盖,如分别在图2和图3中描述的那样。图5示出被覆盖物230覆盖的化合物衬底210。可以使用锁定机构来将覆盖物230耦合(按压)到化合物衬底210。锁定机构可以包括:载体510,其被实质上布置在覆盖物230之下;以及钳夹部520,其被配置为机械地连接到化合物衬底210。在软(硅酮)掩模被用作为覆盖物230的情况下,这样的锁定机构可以是特别有用的。图6示出根据本公开的半导体传感器器件600的进一步的示例。除了下面描述的差异之外,半导体传感器器件600可以与半导体传感器器件100、200、300、400或450中的任何一个相同。半导体传感器器件600的气相沉积的电介质涂层140至少部分地覆盖衬底110的第二主面114。根据示例,气相沉积的电介质涂层140还覆盖衬底110的侧面116(在图6中示出该情况)。根据另一示例,侧面116没有气相沉积的电介质涂层140。根据示例,气相沉积的电介质涂层140部分地覆盖第二主面114以使得电接触118被暴露。根据用于制备半导体传感器器件600的方法的示例,电介质涂层140被气相沉积在第二主面114上,并且此后例如在电接触118上局部地移除气相沉积的电介质涂层140。局部地移除气相沉积的电介质涂层140可以例如包括使用激光器620以在气相沉积的电介质涂层140中创建开口610。根据示例,CO2激光器可以被用于创建开口610。根据示例,同一激光器可以被用于创建在感测区域122上的开口142(比较例如图1)以及开口610。除了不提供覆盖第二主面114的覆盖物230之外,用于制备半导体传感器器件600的方法的示例可以与关于图2和图3所描述的方法相同。替代地,在第二主面114处局部地移除气相沉积的电介质涂层140,如上面所描述那样。虽然已经关于一个或多个实现图示并且描述了本公开,但是在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下,可以对所图示的示例作出改动和或修改。特别是关于由上面描述的组件或结构(组装、器件、电路、系统等)所执行的各种功能,即使在结构上并不等同于执行本公开的在此说明的示例性实现中的功能的所公开的结构,用于描述这样的组件的(包括对“部件”的引用的)术语也意图与执行所描述的(例如在功能上等同的)组件的指定功能的任何组件或结构对应,除非另外指示。

权利要求:1.一种半导体传感器器件,包括:衬底,其包括第一主面以及与第一主面相对的第二主面;半导体元件,其包括感测区域,半导体元件被布置在衬底的第一主面上并且被电耦合到衬底;封盖,其被布置在衬底的第一主面上并且形成腔体,其中半导体元件被布置在腔体中;以及气相沉积的电介质涂层,其覆盖半导体元件以及衬底的第一主面,气相沉积的电介质涂层具有在感测区域上方的开口,其中,衬底的第二主面至少部分地没有气相沉积的电介质层。2.如权利要求1所述的半导体传感器器件,其中,气相沉积的电介质涂层还覆盖封盖。3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体传感器器件,其中,气相沉积的电介质涂层具有在500nm-70μm的范围中的厚度。4.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,其中,气相沉积的电介质涂层包括聚对二甲苯或者由聚对二甲苯构成。5.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,进一步包括:球状顶部,其被布置在感测区域上方,其中,球状顶部至少部分地在开口处被从气相沉积的电介质涂层暴露。6.如权利要求5所述的半导体传感器器件,其中,球状顶部包括填充物颗粒,填充物颗粒被配置为散射具有在180nm-300nm以及5μm-12μm中的一个或多个的范围中的波长的光。7.如权利要求6所述的半导体传感器器件,其中,填充物颗粒包括CaCO3或者由CaCO3构成。8.如权利要求5-7之一所述的半导体传感器器件,其中,除了气相沉积的电介质涂层和球状顶部之外,腔体没有任何电介质衬料或没有任何电介质材料。9.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,其中,封盖由金属或金属合金构成。10.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,其中,封盖被布置在衬底的第一主面上,以使得封盖被胶合到气相沉积的电介质层上。11.如权利要求1至9之一所述的半导体传感器器件,其中,封盖被直接附接到衬底的第一主面。12.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,其中,衬底进一步包括连接第一主面和第二主面的侧面,并且其中侧面没有气相沉积的电介质层。13.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,进一步包括:进一步的半导体管芯,其被布置在腔体中,进一步的半导体管芯被气相沉积的电介质层覆盖。14.如前述权利要求之一所述的半导体传感器器件,其中,衬底的第二主面完全没有气相沉积的电介质层。15.如权利要求1至13之一所述的半导体传感器器件,其中,衬底包括电接触,其中,半导体元件被电耦合到电接触,并且其中,衬底的第二主面仅在电接触之上没有气相沉积的电介质层。16.一种用于制备半导体传感器器件的方法,所述方法包括:提供衬底,衬底包括第一主面以及与第一主面相对的第二主面;在衬底的第一主面上布置包括感测区域的半导体元件,并且使半导体元件电耦合到衬底;在衬底的第一主面上布置封盖,以使得封盖形成腔体,其中,半导体元件被布置在腔体中;在半导体元件以及衬底的第一主面上气相沉积电介质涂层;以及在感测区域上的气相沉积的电介质涂层中制备开口,其中,衬底的第二主面至少部分地没有气相沉积的电介质涂层。17.如权利要求16所述的方法,其中,在沉积电介质涂层之后,在衬底的第一主面上布置封盖。18.如权利要求16所述的方法,其中,在沉积电介质涂层之前在衬底的第一主面上布置封盖,并且还在封盖上沉积电介质涂层。19.如权利要求16至18之一所述的方法,进一步包括:提供覆盖衬底的第二主面的覆盖物。20.如权利要求19所述的方法,其中,提供覆盖物包括将箔片层叠到第二主面上或者将第二主面按压到软掩模中。21.如权利要求19或20之一所述的方法,进一步包括:在气相沉积电介质涂层之后从衬底的第二主面移除覆盖物。22.如权利要求16至21之一所述的方法,进一步包括:在感测区域上分配球状顶部,其中,还在球状顶部上气相沉积电介质涂层。23.如权利要求16至22之一所述的方法,进一步包括:使用激光以在感测区域以及衬底的第二主面中的一个或多个上局部地移除气相沉积的电介质涂层。

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