申请/专利权人:比亚迪股份有限公司
申请日:2022-08-05
公开(公告)日:2023-01-06
公开(公告)号:CN218241887U
主分类号:H01M4/13
分类号:H01M4/13;H01M50/533;H01M10/0525
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.06#授权
摘要:为克服现有极耳连接结构存在接触位置虚焊以及接触电阻大的问题,本实用新型提供了一种极片,包括集流体以及设置于所述集流体上的活性物质层,所述活性物质层上设置有露出所述集流体的极耳容置区,所述极耳容置区由所述集流体的表面延伸至所述集流体的边缘,所述极耳容置区上引出有极耳,所述极耳的宽度为L1,所述极耳容置区的宽度为L2,L1和L2满足以下条件:1.5*L1≤L2≤3.5*L1;所述极耳与所述极耳容置区的重叠部分的长度为L3,所述极耳容置区的长度为L4,L3和L4满足以下条件:0.5mm≤L4‑L3≤10mm。本实用新型还提供了包括上述极片的电池。实用新型提供的极片有利于减少对位问题导致的虚焊,提高极片的加工良率。
主权项:1.一种极片,其特征在于,包括集流体以及设置于所述集流体上的活性物质层,所述活性物质层上设置有露出所述集流体的极耳容置区,所述极耳容置区由所述集流体的表面延伸至所述集流体的边缘,所述极耳容置区上引出有极耳,所述极耳的宽度为L1,所述极耳容置区的宽度为L2,L1和L2满足以下条件:1.5*L1≤L2≤3.5*L1;所述极耳与所述极耳容置区的重叠部分的长度为L3,所述极耳容置区的长度为L4,L3和L4满足以下条件:0.5mm≤L4-L3≤10mm。
全文数据:
权利要求:
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。