申请/专利权人：中锗科技有限公司

申请日：2022-10-11

公开（公告）日：2023-01-10

公开（公告）号：CN115582326A

主分类号：B08B3/02

分类号：B08B3/02;B08B3/14;B08B13/00;H01L21/02;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.31#实质审查的生效;2023.01.10#公开

摘要：一种去除锗抛光片脏污和霉斑的方法，包括如下步骤：1将锗单晶抛光片间隔插入特氟龙卡塞，插入数量不大于13片卡，将特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第一混合水溶液中浸泡10‑15分钟，然后，拖着特氟龙卡塞来回往返3‑5次，取出，用去离子水冲洗60‑90S；2将步骤1去离子水冲洗后的特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第二混合水溶液中浸泡30‑60秒，取出，用去离子水冲洗60‑90秒；3将步骤2去离子水冲洗后的特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第三混合水溶液中，晃动15‑20秒，取出，用去离子水冲洗45‑60秒，甩干。本发明可将锗抛光片表面脏污和霉斑有效去除，处理后的锗单晶抛光片表面清洁透亮，无抛光无量损失；处理效率高、容易量产推广。

主权项：1.一种去除锗抛光片脏污和霉斑的方法，其特征在于：包括如下步骤：1将锗单晶抛光片间隔插入特氟龙卡塞，插入数量不大于13片卡，将特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第一混合水溶液中浸泡10-15分钟，然后，拖着特氟龙卡塞来回往返3-5次，取出，用去离子水冲洗60-90S；第一混合水溶液由去离子水、甲酸、氢氟酸和盐酸混合而成；2将步骤1去离子水冲洗后的特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第二混合水溶液中浸泡30-60秒，取出，用去离子水冲洗60-90秒；第二混合水溶液由去离子水和草酸混合而成；3将步骤2去离子水冲洗后的特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第三混合水溶液中，晃动15-20秒，取出，用去离子水冲洗45-60秒，甩干；第三混合水溶液由去离子水和碳酸钠混合而成。

全文数据：

权利要求：

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