申请/专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司

申请日：2022-11-20

公开（公告）日：2023-03-07

公开（公告）号：CN115758948A

主分类号：G06F30/30

分类号：G06F30/30;H01C7/00;B23K26/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.24#实质审查的生效;2023.03.07#公开

摘要：一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法，属于集成电路设计领域。CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；仿真方法为：将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果；遍历从初始值到目标值的多个阻值；对电阻按设定值进行精确修调。解决了集成电路中CrSi薄膜电阻的阻值精度难以控制，最终目标值难以确定的问题。本发明可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。

主权项：1.一种CrSi电阻的激光修调仿真方法，其特征在于：所述CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；所述CrSi电阻的激光修调仿真方法为：1将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；2沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；3按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果；4根据每次步进激光修调的仿真结果，遍历从初始值到目标值的多个阻值；5根据遍历从初始值到目标值的多个阻值，对电阻按设定值进行精确修调。

全文数据：

权利要求：

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