申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802872A

主分类号：H10N59/00

分类号：H10N59/00;H10N70/00

优先权：["20210909 JP 2021-146831","20220302 US 17/684736"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：实施例提供了一种实现增强的可靠性的存储设备。根据一个实施例，存储设备包括：开关元件，其包括第一和第二导电层以及在第一与第二导电层之间的可变电阻层。第一或第二导电层包括第一层、在第一层与可变电阻层之间的第二层、以及在第一层与第二层之间的第三层。第一层和第二层中的每一个选自包括碳的层、包括氮和碳的层、包括氮和钛的层、包括氮和钽的层、包括钨的层、包括氮和钨的层、以及包括铂的层。第三层包括选自锂、钠、镁、钙、钛或镧中的至少一项。

主权项：1.一种存储设备，包括：开关元件，其包括第一导电层、第二导电层、以及在所述第一导电层与所述第二导电层之间的可变电阻层；以及与所述开关元件串联电连接的存储元件，其中，所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一个包括：第一层，在所述第一层与所述可变电阻层之间的第二层，以及在所述第一层与所述第二层之间的第三层，所述第一层和所述第二层中的每一个选自包括碳的层、包括氮和碳的层、包括氮和钛的层、包括氮和钽的层、包括钨的层、包括氮和钨的层、以及包括铂的层，以及所述第三层包括选自锂、钠、镁、钙、钛或镧中的至少一项。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 存储设备

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