申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-11-23

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799306A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/739

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.14#公开

摘要：本发明提供了一种新型增强栅极可控性的IGBT结构，该结构在具有浮空P区的常规沟槽栅IGBT结构的基础上，通过两侧的屏蔽N区将浮空P区与沟槽栅分离，从而在器件开启阶段屏蔽从浮空P区流向栅极的位移电流，进而使栅极电阻对器件集电极‑发射极电压有更好的可控性。同时，由于屏蔽了位移电流这一反向栅极充电电流，沟槽栅侧边电压能够更快到达能使沟道产生的阈值电压，使器件更快开启，优化开关频率。

主权项：1.一种新型增强栅极可控性的IGBT结构，其元胞结构包括：从下至上依次设置P+型集电区1、N型缓冲层2、N型漂移区3，正面结构包含由载流子存储层4、P型基区5、P+型发射区6和N+型发射区7所组成的导通区，以及由P型浮空区8、N型屏蔽区9所构成的浮空区；发射区间有SiO2氧化层10和多晶硅11构成的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种新型增强栅极可控性的IGBT结构

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