申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN218632050U

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/778

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权

摘要：本实用新型公开了一种栅极结构及半导体器件。该栅极结构包括栅根和栅帽,栅根和栅帽相交于第二端点，其中栅根包括栅极底面和栅根第一侧面,两个面且相交于第一端点，通过要求第一端点和第二端点之间的位置、距离以及尺寸平衡关系实现改善频率特性；通过栅帽子部之间通过非垂直连接，在半导体器件结构中实现优化电场分布的作用，从而提高半导体器件的可靠性和稳定性。

主权项：1.一种栅极结构，所述栅极结构包括栅根和栅帽，所述栅根包括栅极底面和栅根第一侧面，与所述栅极底面相邻的侧面为栅根第一侧面，所述栅根第一侧面的一端与所述栅极底面相连接，且连接点为第一端点；所述栅根和所述栅帽连接，且连接点为第二端点；平分且垂直于栅极底面的平面为平分面，其中，所述第二端点位于所述第一端点所在平行于所述平分面的平面远离所述平分面一侧；其特征在于，所述第一端点和所述第二端点的距离关系为：M0＜L0，M0’＜L0；其中，L0为所述栅极底面的两个末端点之间的距离；M0为所述平分面一侧的所述第二端点与所述第一端点在栅极底面所在平面方向上投影的距离，M0’为所述平分面另一侧的所述第二端点与所述第一端点在栅极底面所在平面方向上投影的距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 一种栅极结构及半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD