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【发明公布】半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202111074028.6 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2021-09-14

公开(公告)日:2023-03-17

公开(公告)号:CN115810582A

主分类号:H01L21/8234

分类号:H01L21/8234;H01L27/088

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要:一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,所述基底包括器件区和隔断区,所述基底包括衬底以及分立于所述器件区和隔断区的衬底上的鳍部,所述器件区和隔断区的所述基底顶部形成有横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁;在所述隔断区中,刻蚀去除所述栅极结构和所述鳍部,形成露出所述衬底顶面且与所述鳍部的延伸方向相一致的凹槽;在所述凹槽中形成隔断结构。降低了所述器件区的鳍部发生弯曲的概率,从而提高了半导体结构的性能。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括器件区和隔断区;鳍部,凸立于所述器件区的所述衬底上;栅极结构,位于所述器件区中,所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁;隔断结构,位于所述隔断区中,所述隔断结构贯穿所述栅极结构并向下延伸至所述衬底顶部,所述隔断结构与所述鳍部的延伸方向相一致,相邻所述器件区的鳍部通过所述隔断结构相隔离,且所述隔断结构在所述栅极结构的延伸方向上分割相对应的所述栅极结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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