申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2022-03-07

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831924A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L21/768;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35

优先权：["20210917 JP 2021-152067"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本文中描述的实施例大体上涉及一种半导体存储器装置及一种制造所述半导体存储器装置的方法。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：互连层，其堆叠于衬底上方；存储器支柱，其经配置以穿透所述互连层；第一构件及第二构件；及分割部分，其提供于所述第一构件与所述第二构件之间。所述分割部分包含绝缘层。所述绝缘层各自包含第一部分及第二部分。所述第一部分提供于所述第一构件与所述第二部分之间。所述第二部分提供于所述第一部分与所述第二构件之间。所述第一部分及所述第二部分在从顶部看时各自具有个别弧形且彼此接触。

主权项：1.一种半导体存储器装置，其包括：多个互连层，其堆叠于衬底上方且在第一方向上彼此间隔开；存储器支柱，其经配置以在所述第一方向上穿透所述多个互连层；第一构件及第二构件，其在从顶部看时各自具有设置为与所述第一方向相交的第二方向的纵向方向，所述第一构件及所述第二构件布置在所述第二方向上且在所述第一方向上穿透所述多个互连层；及分割部分，其提供于所述第一构件与所述第二构件之间，其中所述分割部分包含在所述第一方向上彼此间隔开的多个绝缘层，所述多个绝缘层各自包含第一部分及第二部分，所述第一部分提供于所述第一构件与所述第二部分之间，所述第二部分提供于所述第一部分与所述第二构件之间，且所述第一部分及所述第二部分在从所述顶部看时各自具有个别弧形且彼此接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法

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