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【发明授权】包括开关器件的功率半导体模块_赛米控电子股份有限公司_201710438281.2 

申请/专利权人:赛米控电子股份有限公司

申请日:2017-06-12

公开(公告)日:2023-03-21

公开(公告)号:CN107507814B

主分类号:H01L23/40

分类号:H01L23/40;H01L23/427;H01L25/07

优先权:["20160614 DE 102016110912.6"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.21#授权;2019.06.04#实质审查的生效;2017.12.22#公开

摘要:本发明涉及包括开关器件的功率半导体模块。所述功率半导体模块包括开关器件以及包括压力器件,所述开关器件具有衬底、功率半导体组件以及连接器件,其中,连接器件具有第一主表面和第二主表面以及导电箔,第一主表面面对所述衬底,第二主表面背离于所述衬底,其中,开关器件借助连接器件来与合适的电路系统内部地连接,其中,压力器件具有压力体和在功率半导体组件的方向上从压力体突出的压力元件,其中,压力元件按压到所述连接器件的第二主表面的部分上,并且在此该部分在所述衬底的法线方向上对准地被布置在功率半导体组件的背离于衬底的表面的上方,其中,压力元件是由弹性壳构成的,在所述弹性壳的内部中布置有相变材料。

主权项:1.一种功率半导体模块,所述功率半导体模块包括开关器件以及包括压力器件,所述开关器件具有:衬底,在所述衬底上布置的功率半导体组件,以及连接器件,所述压力器件被设计为使得所述压力器件能够在所述衬底的法线方向上移动,其中,所述衬底具有彼此电绝缘的导体带,其中,所述功率半导体组件被布置在所述衬底的导体带上并且以粘结且导电的方式连接到所述衬底,其中,所述连接器件具有第一主表面和第二主表面以及导电箔,所述第一主表面面对所述衬底,所述第二主表面背离于所述衬底,其中,所述开关器件借助所述连接器件来与合适的电路系统内部地连接,其中,所述压力器件具有压力体和在所述功率半导体组件的方向上从所述压力体突出的压力元件,其中,所述压力元件按压到所述连接器件的所述第二主表面的一部分上,并且在此,该部分以在所述衬底的法线方向上对准的方式来被布置在所述功率半导体组件的背离于所述衬底的表面的上方,其中,所述功率半导体模块具有紧固装置,所述紧固装置被设计为以压入配合的方式将所述功率半导体模块紧固在冷却器件上,以及其中,所述压力元件由弹性壳构成,在所述弹性壳的内部布置有相变材料。

全文数据:包括开关器件的功率半导体模块技术领域[0001]本发明涉及一种包括开关器件的功率半导体模块。还描述了一种包括这种功率半导体模块的功率半导体器件。背景技术[0002]DE102014106570A1公开了一种以开关器件的形式的功率半导体模块,其包括衬底、功率半导体组件、连接器件、负载连接器件,并且包括压力器件。这里,衬底具有电绝缘导体带conductortrack,其中在导体带上布置功率半导体组件。连接器件是包括导电箔和电绝缘膜的箔膜层叠件的形式,并且具有第一主表面和第二主表面。借助于连接器件,将开关器件与适合的电路系统内部地连接。压力器件具有包括第一凹进部的压力主体、被布置以从所述第一凹进部突出出来的压力元件,其中压力元件按压到箔膜层叠件的第二主表面的部分上,并且这里,在沿着功率半导体组件的法线方向的投影中,这个部分被布置在功率半导体组件的表面内。压力元件完全由硅橡胶构成的。这里有一个缺点在于硅橡胶仅具有低热吸收容量。因此,通过冷却器件来在衬底上方,大体上在其底部侧的上方,来冷却功率半导体组件。[0003]DE102〇14213545A1公开了使用相变材料以用于冷却功率半导体模块的功率半导体组件。[0004]技术上希望的是特别是在高暂态功率负载的情况下,在其上侧的上方另外地冷却功率半导体模块的功率半导体组件。发明内容[0005]针对上述条件的背景,本发明是基于提供一种其功率半导体组件被有效冷却的功率半导体模块的目的。[0006]根据本发明,通过一种功率半导体模块获得了这个目的,该功率半导体模块包括具有衬底的开关器件、在衬底上布置的功率半导体组件、和连接器件,并且包括被设计为使得其能够在衬底的法线方向上移动的压力器件,其中,衬底具有彼此电绝缘的导体带,其中功率半导体组件被布置在所述衬底的导体带上并且以粘结且导电的方式连接到衬底,其中连接器件具有第一主表面和第二主表面以及导电箔,第一主表面面对衬底,第二主表面背离于所述衬底,其中,开关器件借助连接器件来与合适的电路系统内部地连接,其中,压力器件具有压力体和在功率半导体组件的方向上从压力体突出的压力元件,其中,压力元件按压到连接器件的第二主表面的部分上,并且在此,该部分被布置为在功率半导体组件的背离于所述衬底的表面的上方在衬底的法线方向上对准,其中,压力元件是由弹性壳构成的,在所述弹性壳的内部中布置有相变材料。[0007]能够从附属权利要求得到所述功率半导体模块的有利设计。[0008]已经证明了如果相变材料的相变温度在所述功率半导体组件的在所述功率半导体组件26的操作期间所能允许的最大结温度之下的〇.i%到25%、特别是〇.i%到L〇%、特别是0.1%到5%,则是有利的,其中,在该相变温度,相变材料从其固态变化成其液态。在这种情况下,以°C指不相变材料的相变温度和所能允许最大结温度。如以上的结果,尤其是当操作期间,例如在短暂功率峰的情况中,功率半导体组件的结温度Tj接近功率半导|本组件的所能允许的最大结温度Tjmax时,借助关联的压力元件附加地冷却相应功率半导体组件。半导体组件的在功率半导体组件的操作期间所能允许的最大结温度通常位于从15〇。:到200°C的温度范围中。[0009]己经进一步证明了,如果壳由弹性体构成的,特别是由硅橡胶构成的,则是有利的,因为那样的话该壳具有特别良好的弹性属性。[0010]另外,己经证明了如果相变材料的体积与压力元件的总体积的比例优选地是10%到70%,特别是是10%到50%,则是有利的,因为压力元件那样的话能够首先吸收大量热能并且其次展现出至少由于弹性壳的弹性。~[0011]另外,己经证明了如果相变材料由至少一个盐水合物构成的或由至少一个有机材料构成的,则是有利的,因为这些是技术上惯用的相变材料。[0012]另外,已经证明了如果相变材料具有从80kJkg到300kJkg的特定的熔化焓enthalpyoffusion,则是有利的,因为压力元件那样的话能够吸收大量的热能。[0013]己经进一步证明了:当在相变材料中存在围绕相变温度的温度波动的情况下,如果变回温度是在相变材料的相变温度之下的至少5°C、特别是至少HTC,则是有利的,因为相变材料在那时并没有频繁地将其状态从固体变化成液体,并且反之亦然,其中,在所述变回温度,温度相变材料从其液态变化成其固态。[00M]另外,己经证明了如果压力体具有第一凹进部,压力元件被布置为以便突出到所述第一凹进部之外,则是有利的,因为压力元件那样的话被布置为使得其不在横向方向上移动。横向方向垂直于衬底的法线方向延伸。[0015]在这个上下文中,已经证明了如果压力体中的第一凹进部是以从压力体的第一主表面开始的凹陷形式,则是有利的,其中,该第一主表面面对衬底,因为那样的话则会以特别简单的方式来形成凹进部。[0016]已经进一步证明了如果压力体由耐高温的热塑性材料构成的,特别是由聚苯硫醚构成的,则是有利的,因为那样的话能够即使在高温下机械地加载压力主体。[0017]已经进一步证明了如果连接器件是以箱膜层叠件的形式,该箔膜层叠件包括至少一个导电箔并且包括至少一个电绝缘膜,则是有利的。这种箔膜层叠件的设计构成箔膜层叠件的惯用设计。[0018]己经进一步证明了如果连接器件的第二主表面的部分的表面面积是功率半导体组件的背离于所述衬底的那个表面的面积的至少20%,特别是至少50%,则是有利的,因为作用于连接器件的第二主表面的部分的压力那样的话则作用在相对大的表面上方。[0019]另外,已经证明了如果压力体的横向长度与压力体在衬底的法线方向上的长度的比例优选地是至少3比1,特别是至少5比1,则是有利的,因为那样的话压力体是节省空间的设计。[0020]另外,已经证明了如果壳的机械接触区没有突出越过功率半导体组件的背离于所述衬底的表面,则是有利的,其中,在所述机械接触区呈现出与连接器件的机械接触。作为结果,避免了功率半导体组件的通常压敏边界边缘的压力加载。L〇〇21」已经进一步证明了如果功率半导体模块具有紧固装置,紧固装置被设计为以压入配合force-fitting方式将所述功率半导体模块紧固在冷却器件上,是有利的。作为结果,能够将功率半导体模块可靠地紧固到冷却器件。[0022]另外,已经证明了如果衬底具有中心第一通道开口,其中,压力体具有与第一通道开口对准布置的第二通道开口,其中,第一通道开口和第二通道开口被设计为接收紧固装置,是有利的。作为结果,将由紧固装置生成的力从中心引入到压力体上。[0023]另外,已经证明了包括根据本发明的功率半导体模块的功率半导体器件是有利的,该功率半导体模块包括冷却器件和包括紧固装置,所述紧固装置被设计为以压入配合方式将所述功率半导体模块紧固在冷却器件上,其中,紧固装置在冷却器件的方向上将力引入到所述压力器件上,并且作为结果,以压入配合方式将所述衬底连接到所述冷却器件。[0024]另外,已经证明了如果冷却器件是以旨在安装在热沉上的金属基板的形式,或是以热沉的形式,则是有利的,因为这些构成了该冷却器件的惯用设计。附图说明[0025]将会参照以下附图说明本发明的示例性实施例,在附图中:[0026]图1示出包括根据本发明的功率半导体模块的功率半导体器件的截面视图,该功率半导体模块包括冷却器件并且包括紧固装置,以及[0027]图2以各种截面平面示出根据本发明的功率半导体模块的开关器件的截面的平面视图。具体实施方式[0028]图1示出根据本发明的包括开关器件10的功率半导体模块1的第一细化refinement。所述附图示出以本领域中基本常规的方式形成的衬底2例如,直接敷铜衬底),该衬底2具有绝缘材料体20和在所述绝缘材料体上布置的导体带22,导体带22均与彼此电绝缘并且能够具有操作期间开关器件10的不同电位,特别是,负载电位,但是还具有辅助电位,特别是,控制和测量电位。特别地,这里示出具有如典型的半桥拓扑的负载电位的负载电位的三条导体带22。衬底2具有中心布置的第一通道开口24。[0029]在两个导体带22上布置能够以例如M0SFET形式、以IGBT形式或以二极管形式的相应功率半导体组件26。以本领域中常规的方式,优选地借助烧结连接,将功率半导体组件26电导性连接到导体带22。[0030]借助连接器件3形成开关器件10的内部电连接,在最简单的情况下,该连接器件3由形成没有彼此连接——机械连接或电连接——的单独导体带部分的导电箔30构成的。这些导体带部分特别是将相应功率半导体组件26,更精确地讲是所述功率半导体组件的在背离于衬底2的侧上的接触区,连接到衬底2的导体带22。[0031]连接器件3优选地是箔膜层叠件形式,该箔膜层叠件包括至少一个导电箔30或32并且包括至少一个电绝缘膜31。连接器件3的至少一个导电箔30、32固有地图案化,并且因此形成彼此电绝缘的导体带部分。如果存在多个导电箔,则在这些导电箱之间分别布置电绝缘膜。[0032]优选地将箔膜层叠件的箔膜彼此连接,特别是以粘结方式。[0033]在示例性实施例的范围内,箱膜复合件3具有两个导电箔30和32以及布置在所述导电箔之间的电绝缘膜31。特别是,连接器件3的导电箔30和32固有地图案化,并且因此形成彼此电绝缘的导体带部分。[0034]连接器件3具有第一主表面300和第二主表面320,该第一主表面300面对衬底2,该第二主表面320背离于衬底2。借助连接器件3,将开关器件10内部地与合适的电路系统连接。连接器件3的导体带部分特别是将相应功率半导体组件26,更精确地讲是所述功率半导体组件的所述背离于衬底2的侧上的接触区,连接到衬底2的导体带22。在优选的细化中,借助烧结连接将导体带部分粘结地连接到功率半导体组件26的接触区。不言而喻,能够在功率半导体组件2G之间和也在衬底2的导体带22之间同样地形成连接。特别是在压力烧结连接的情况中,有利的是在功率半导体组件26的边界区域处布置电绝缘块件28。还能够在导体带22之间的中间间隔中布置绝缘块件28。面对衬底2的箱30的那个表面在示例性实施例中形成第一主表面300,同时,背离于衬底2的、所述箔32的相反表面形成第二主表面320。如果连接器件3仅由一个导电箔30构成的,则由箔30的面对衬底2的那个表面形成第一主表面300,并且由箱30的背离于衬底2的那个表面形成第二主表面320。[0035]出于外部电连接的目的,功率半导体模块1具有负载和辅助连接元件,其中这里仅示出负载连接元件4。仅作为示例的方式,这些负载连接元件4是成形金属体形式,将成形金属体通过接触脚的方式,以粘结方式,同样有利地借助于烧结连接,连接到衬底2的导体带22〇[0036]另外,功率半导体模块1具有特别是通过粘附连接的方式连接到衬底2的外壳6。负载连接元件4贯穿外壳6突出,并且这里形成用于将要由外部电力线路元件例如,母线或电缆进行的电接触的负载接触器件40。[0037]功率半导体模块1具有压力器件5,该压力器件5具有压力体50和在功率半导体组件26的方向上从压力体50突出的压力元件52。在示例性实施例的范围内,压力体50具有第一凹进部5〇4、被布置为以便在每个情况下从所述第一凹进部突出出去的压力元件52,其中压力元件按压到连接器件3的第二主表面320的部分322上,并且这里,在功率半导体组件26的背离于衬底2的表面26a的上方在衬底2的法线方向N上对准地布置这个部分322。在沿衬底2的法线方向N的投影中,部分322优选地被布置在功率半导体组件26的背离于衬底2的那个表面26a内。[0038]在最简单的情况中,压力元件52能够通过为此目的由重力生成的所需的压力按压到连接器件3的第二主表面:320的部分322上,当参照地球的中心在连接器件3的上方布置压力器件5时,所述重力将压力器件5按压到连接器件3的第二主表面320的部分322。因此,存在紧固装置7和冷却器件8以生成压力并非绝对必要。[0039]压力体50中的第一凹进部504优选地是从压力体50的第一主表面500开始的凹陷形式,该第一主表面面对衬底2。[0040]连接器件3的第二主表面302的部分322的表面面积是功率半导体组件26的背离于衬底2的那个表面26a的至少20%,特别是至少50%。[0041]压力体50具有第一主表面500和第二主表面502,该第一主表面500面对衬底2,该第二主表面502背离于衬底2。压力体50优选地采用刚性设计,以便能够以均匀方式将被将引入到压力体50的压力传递到压力元件52。为了这个目的并且针对在功率半导体模块1的操作期间的热加载的背景,压力体50优选地由耐高温热塑性材料构成的,特别是由聚苯硫醚构成的。[0042]压力体50的横向长度与压力体50在衬底2的法线方向N上的长度的比例优选地是至少3比1,特别是至少5比1。[0043]根据本发明,压力元件52由弹性壳52’构成的,其中所述弹性壳的内部中布置相变材料52’。相变材料具有较高的特定的熔化焓并且能够因此在相变温度下在从其固态变化成其液态的转变相变)期间吸收高水平的热能。针对不同的相变温度的相变材料商业可用,并且在技术上惯用的方式中,相变材料例如由诸如M„H20的盐水合物构成的,或者例如由诸如石蜡例如CnH2n+2或脂肪酸例如CH3CH22nCOOH的有机材料构成的。使用的相变材料还能够是例如MgChx6出0。由于壳52’的弹性,所以压力元件52能够在其被按压时变形,以及因此适配于连接器件3的第二主表面320的部分322的轮廓,并且因此间接适配于功率半导体组件26的背离于衬底2的那个表面26a的轮廓,使得将由压力元件53施加到功率半导体组件26上的压力均匀地分布在功率半导体组件26的表面26a的上方,并且因此不会形成能够导致破坏功率半导体组件26的局部压力峰。壳52’优选地由弹性体构成的,特别是由硅橡胶构成的。能够例如通过在被填充有相变材料的一个点处的开口的壳,并且然后焊接壳中的开口,制造压力元件52。[0044]相变材料的相变温度优选地在功率半导体组件26的最大结温度Tjmax之下的0.1%至IJ25%,特别是〇.1%到1〇%,特别是〇_1%到5%,所述最大结温度1—是所述功率半导体组件26的操作期间所能允许的结温度,并且其由所述功率半导体组件26的制造商指示,例如,在数据表中。结果,尤其是当操作期间,例如在短暂功率峰的情况中,所述功率半导体组件26的结温度Tj接近功率半导体组件2e的所能允许的最大结温度Tjmax时,借助压力元件52附加地冷却相应功率半导体组件26。在大多功率半导体组件26的情况下,在功率半导体组件26的操作期间所能允许的半导体组件26的最大结温度位于从15TC到20TC的温度范围中,并且特别是150°C或175°C。[0045]因为压力元件能够首先吸收大量热能并且其次至少由于弹性壳展现出弹性,所以相变材料的体积与压力元件的总体积的比例优选地是10%到70%,特别是是10%到50[0046]相变材料优选地具有从SOkJkg到300kJkg的特定的熔化焓。[0047]在相变材料中存在围绕相变温度的温度波动的情况下,在变回温度在相变材料的相变温度之下优选地是至少5°C,特别是至少1TC,因为相变材料在那时没有频繁地将其状态从固体变化成液体,并且反之亦然,其中在所述变回温度所述相变材料从其液态变化成其固态。进一步,如果功率半导体组件在操作期间处于高温,则没有由在从其液态到其固态的转变期间由相变材料发射的热来另外地加热功率半导体组件。[0048]压力器件5的压力体5〇优选地具有金属嵌件56,该金属嵌件56优选地被布置在压力器件5的第二主表面502上的压力体50中的第二凹进部506中。压力体5优选地具有第二通道开口54。[0049]外壳6优选地具有第三通道开口64,该第三通道开口64被布置为使得其与第一通道开口24和第二通道开口私对准。螺钉被布置为紧固装置7使得其穿过这些通道开口,借助外壳6、更精确地借助外壳盖6’和衬底2将所述螺钉拧紧到冷却器件8〇或82中,并且因此施加压力到压力器件5上,精确地在布置功率半导体组件26处的那些点处,借助压力器件5和连接器件3将螺钉按压到冷却器件80或82上,并且因此以压入配合方式将衬底2和冷却器件80或82连接。应该注意的是紧固装置7或螺钉7能够通常还直接施加压力到压力器件5上,使得压力元件52按压到连接器件3的第二主表面320的部分322上。这个能够通过例如以下方式实现:通过被设计为具有使得螺钉7的螺钉头穿过第三通道开口64的对应尺寸的第三通道开口64,或者通过以与图1示出的方式不同的一些其它方式来根本性地分配或设计的外壳盖6’。[00S0]因此,总之,应该注意的是紧固装置7或螺钉7能够间接借助至少一个插入元件)或直接施加压力到压力器件5上,使得压力元件52按压到连接器件3的第二主表面320的部分322上。[0051]压力器件5的压力体5〇在压力元件52上方一致地分布压力,其中压力元件52针对其部分以均匀方式按压到连接器件3的第二主表面320的部分322上。优选地选择受到压力的作用的连接器件3的第二主表面320的部分322,以这种方式使得如以在衬底2的法线方向N上观看,它们被布置在相应功率半导体组件26的背离于衬底2的表面26a内。因此,压力元件52借助连接器件3按压到相应功率半导体组件26上,以这种方式使得将所述功率半导体组件,更精确地讲是位于其下方的衬底2,按压到冷却器件80或82上,并且因此从功率半导体组件26到冷却器件80或82的热接触是最优的。[0052]由于将压力引入到弹性压力元件52上,所以所述弹性压力元件能够变形,其中,这里还能够使所述弹性压力元件的横向长度增加。热传导层,例如热传导膏800,能够被布置在衬底2和冷却器件82或80之间。[0053]在本示例性实施例的范围内,冷却器件是热沉82的形式。通过示例的方式在图1中将冷却器件示出为用于空气冷却的热沉82,但是其能够相似地是用于液体冷却的热沉的形式。热沉82具有从冷却鳍片80a或冷却针80a延伸的金属基板80。然后,作为替选方案,冷却器件还可以仅以金属基板80的形式进行设计。在这种情况下,金属基板80旨在被安装在热沉例如,气热沉或水热沉上。[0054]图2示出不同截面平面中的开关器件10的平面视图。根据图2a的截面平面示出在衬底2的公共导体带22或不同导体带22上布置(以未图示的方式)的两个功率半导体组件26。不限制一般性质地,这里所述功率半导体组件是包括中心栅极连接区90和发射极连接区91的晶体管,发射极连接区91包括包围所述中心栅极连接区;以及包括阴极连接区92的二极管。[0055]图2b示出连接器件3的第一固有图案化的导电箔3〇。所述第一固有图案化的导电箱形成在晶体管的发射极连接区91和二极管的阴极连接区91之间的导电连接。这里删去晶体管的栅极连接区90。[0056]图2c示出连接器件3的第二固有图案化的导电箔32。所述第二固有图案化的导电箱形成到晶体管的栅极连接区90的导电连接。[0057]图2d示出连接器件3未图示上的与功率半导体组件26——更精确地讲是所述压力元件的壳52’——关联的压力元件52的机械接触区7〇,其中,优选地由于其方形基本形状,仅一个压力兀件52与晶体管关联,以及由于其矩形基本形状,所以两个压力元件52与二极管关联。~[0058]壳52’的呈现出与连接器件3机械接触的机械接触区70优选地没有突出越过功率牛导体组件26的背禺于衬底2的表面26a。结果,避免了功率半导体组件26的通常压敏边界边缘的压力加载。[0059]不言而喻,只要本身并未排除,则单数提及的特征,特别是功率半导体组件和连接器件,还能够被以多数呈现在根据本发明的功率半导体模块中。特别是,能够在衬底的一个或更多个导体带上布置多个功率半导体组件。[0060]这一点应该注意的是本发明的不同示例性实施例的特征当然能够根据所需彼此结合,只要该特征不互相排斥即可。

权利要求:1.一种功率半导体模块,所述功率半导体模块包括开关器件以及包括压力器件,所述开关器件具有:衬底,在所述衬底上布置的功率半导体组件,以及连接器件]所述压力器件被设计为使得所述压力器件能够在所述衬底的法线方向上移动其中,所述衬底具有彼此电绝缘的导体带,其中,所述功率半导体组件被布置在所述衬底的导体带上并且以粘结且导电的方•式连接到所述衬底,其中,所述连接器件具有第一主表面和第二主表面以及导电箔,所述第一主表面面对所述衬底,所述第二主表面背离于所述衬底,其中,所述开关器件借助所述连接器件来与合适的电路系统内部地连接,其中,所述压力器件具有压力体和在所述功率半导体组件的方向上从所述压力体突出的压力元件,其中,所述压力元件按压到所述连接器件的所述第二主表面的一部分上,并且在此,该部分以在所述衬底的法线方向上对准的方式来被被布置在所述功率半导体组件的背离于所述衬底的表面的上方,其中,所述压力元件由弹性壳构成,在所述弹性壳的内部布置有相变材料。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述相变材料的相变温度是:在所述功率半导体组件的操作期间所能允许的所述功率半导体组件的最大结温度之下的0•1%到25%,特别是0.1%到10%,特别是0•1%到5%,其中,在所述相变温度,所述相变材料从其固态变化成其液态。3.根据权利要求2所述的功率半导体模块,其特征在于,在所述功率半导体组件的操作期间所能允许的所述功率半导体组件的所述最大结温度位于从150°C到200°C的温度范围中。4.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述壳是由弹性体构成的,特别是由硅橡胶构成的。5.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述相变材料的体积比率是所述压力元件的总体积的10%到70%,特别是10%到50%〇6.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述相变材料是由至少一种盐水合物构成的,或者是由至少一种有机材料构成的。7.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述相变材料具有从80kJkg到300kJkg的特定的熔化焓。8.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,变回温度是在所述相变材料的所述相变温度之下至少5°C,特别是至少l〇°C,其中,在所述变回温度,所述相变材料从其液态变化成其固态。9.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述压力体具有第一凹进部,所述压力元件被布置为以便突出到所述第一凹进部之外。1〇•根据权利要求9所述的功率半导体模块,其特征在于,所述压力体中的所述第一凹进部是以从所述压力体的第一主表面开始的凹陷的形式,该第一主表面面对所述衬底。11.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述压力体是由耐高温热塑性材料构成的,特别是由聚苯硫醚构成的。12.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述壳的机械接触区没有突出越过所述功率半导体组件的背离于所述衬底的那个表面,其中,所述机械接触区呈现出与所述连接器件的机械接触。13.根据权利要求1-3中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块具有紧固装置,所述紧固装置被设计为以压入配合的方式将所述功率半导体模块紧固在冷却器件上。14.一种功率半导体器件,所述功率半导体器件包括根据前述权利要求中的一项所述的功率半导体模块,所述功率半导体器件包括冷却器件以及包括紧固装置,所述紧固装置被设计为以压入配合的方式将所述功率半导体模块紧固在冷却器件上,其中,所述紧固装置在所述冷却器件的方向上将力引入到所述压力器件之上,并且由此以压入配合的方式将所述衬底连接到所述冷却器件。15.根据权利要求14所述的功率半导体器件,其特征在于,所述冷却器件是以旨在被安装在热沉上的金属基板的形式,或是是以热沉的形式。

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