申请/专利权人：深圳瑞沃微半导体科技有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831767A

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本申请提供了一种芯片封装方法及芯片封装件，芯片封装方法用于将芯片封装至封装基板的表面，其中，芯片包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极朝向封装基板；芯片封装方法包括：通过增材制造方式在封装基板的表面制备第一导电通路；将芯片放置在封装基板的表面，并对芯片和第一导电通路进行灌胶封装，得到预制封装件；通过增材制造方式在预制封装件的表面制备第二导电通路，使第二导电通路的端部分别与第二电极和第一导电通路靠近第二电极的端部连接；对第二导电通路进行灌胶封装，得到芯片封装件。本申请将芯片的第一电极和第二电极转换到芯片的同一面上，以便对芯片进行CSP封装，有效减少了封装尺寸，提升了封装效率，降低了封装成本。

主权项：1.一种芯片封装方法，用于将芯片封装至封装基板的表面，其特征在于，所述芯片包括相对设置的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极朝向所述封装基板；所述芯片封装方法包括：通过增材制造方式在所述封装基板的表面制备第一导电通路；将所述芯片放置在所述封装基板的表面，并对所述芯片和所述第一导电通路进行灌胶封装，得到预制封装件；通过增材制造方式在所述预制封装件的表面制备第二导电通路；其中，所述第二导电通路的端部分别与所述第二电极和所述第一导电通路靠近所述第二电极的端部连接；对所述第二导电通路进行灌胶封装，得到芯片封装件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司 一种芯片封装方法及芯片封装件

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