申请/专利权人:合肥松豪电子科技有限公司
申请日:2021-04-13
公开(公告)日:2023-03-28
公开(公告)号:CN113064526B
主分类号:G06F3/041
分类号:G06F3/041
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.28#授权;2021.07.20#实质审查的生效;2021.07.02#公开
摘要:本发明提出了一种应用于TDDI芯片遇到小坑时触控面板TP的扫描方法,包括以下步骤:S1、亮屏模式下,设置触控面板TP的默认扫描方式是第一扫描模式LongHMode;S2、在该模式下,当检测到触控面板TP的扫描信号处于H_Te下降沿时,触控面板TP开始扫描,在第一个坑内触控面板TP电路的CA进行充电,在第二个坑内进行AD的采样。基于本方案,虽然坑的长度不够扫描一次,通过软件配置,让触控面板TP在第一个坑内进行CA的充电,在第2个坑内进行AD的采样,2个坑扫一次也可以避开显示面板DP信号干扰,从而消除BASE差现象。
主权项:1.应用于TDDI芯片遇到小坑时触控面板TP的扫描方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、亮屏模式下,设置触控面板TP的默认扫描方式是第一扫描模式LongHMode;S2、在该模式下,判断小坑长度是否够TP完成一次扫描,当小坑长度够TP完成一次扫描时,进入步骤S3,当长度不够TP完成一次扫描时采用2个坑够TP完成一次扫描,进入步骤S4;S3、当检测到触控面板TP的扫描信号TP处在LongHMode,当检测到H_Te下降沿,TP开始扫描,P1为TP电路的CA进行充电,Adc_sh为AD的采样信号;S4、当检测到触控面板TP的扫描信号处于H_Te下降沿时,触控面板TP开始扫描,在第一个坑内触控面板TP电路的CA进行充电,在第二个坑内进行AD的采样。
全文数据:
权利要求:
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