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【发明公布】一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用_上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司_202111395634.8 

申请/专利权人:上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司

申请日:2021-11-23

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116144016A

主分类号:C08G67/04

分类号:C08G67/04;G03F7/004

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:本发明公开了一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种光刻胶,其包括如下原料:如式I所示的添加剂、如式L所示的树脂、光致产酸剂和溶剂,所述添加剂的重均分子量为1000~3000;所述添加剂的重均分子量数均分子量比值为1~5。本发明的光刻胶可以形成具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。

主权项:1.一种光刻胶,其包括如下原料:如式I所示的添加剂、如式L所示的树脂、光致产酸剂和溶剂;所述添加剂的重均分子量为1000~3000;所述添加剂的重均分子量数均分子量比值为1~5;

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用

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