申请/专利权人：国网天津市电力公司电力科学研究院;国网天津市电力公司;国家电网有限公司

申请日：2021-12-14

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN114204467B

主分类号：H02B3/00

分类号：H02B3/00;H01B19/00;H01B19/04;G06F30/20;G06F30/17

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：本发明涉及一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法，其特点是：制作绝缘隔板样片，测量样片表面原子种类、含量和化学键占比，建立隔板分子结构模型并进行优化，计算隔板样片分子的带隙宽度及电子亲和势，在隔板分子最优结构模型中添加特定元素，再次优化分子结构模型，构建宽散射截面和高逸出势垒的低二次电子发射系数表面结构，采用离子溅射、真空蒸镀和化学刻蚀处理，进一步改性绝缘隔板。本发明设计合理，其通过合理修饰隔板表面状态，可提升开关柜在高温、高湿、凝露和污秽环境下的绝缘水平，为提高电力装备绝缘水平和运行可靠性提供理论依据和实践方法。

主权项：1.一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、制作绝缘隔板样片，对绝缘隔板样片进行超声清洗，吹干后放入真空箱中保存；步骤2、将绝缘隔板样片放入X射线光电子能谱仪中，测量样片表面原子种类、含量和化学键占比，建立隔板分子结构模型；步骤3、对步骤2建立的隔板分子结构模型进行几何优化，通过数值比较得到势能面上能量最小的点，得到隔板分子最优结构模型；步骤4、对步骤3得到的隔板分子最优结构模型进行计算，得到隔板样片分子的带隙宽度，并计算样片分子电子亲和势；步骤5、在步骤3得到的隔板分子最优结构模型中添加特定元素，改变特定元素与氧原子百分比，再次优化分子结构模型，使优化后的模型具有最低势能；步骤6、对步骤5优化后的模型进行计算，获得隔板样片分子的带隙宽度，计算样片分子电子亲和势，得到原子种类、含量和化学键占比对隔板分子带隙宽度和电子亲和势的影响规律，基于该规律通过磁控溅射技术对隔板样片进行理化改性，构建宽散射截面和高逸出势垒的低二次电子发射系数表面结构；步骤7、在低二次电子发射系数表面结构基础上，采用离子溅射、真空蒸镀和化学刻蚀处理，进一步优化绝缘隔板。

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权利要求：

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