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一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法 

申请/专利权人:国网天津市电力公司电力科学研究院;国网天津市电力公司;国家电网有限公司

申请日:2021-12-14

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN114204467B

主分类号:H02B3/00

分类号:H02B3/00;H01B19/00;H01B19/04;G06F30/20;G06F30/17

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.23#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要:本发明涉及一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法,其特点是:制作绝缘隔板样片,测量样片表面原子种类、含量和化学键占比,建立隔板分子结构模型并进行优化,计算隔板样片分子的带隙宽度及电子亲和势,在隔板分子最优结构模型中添加特定元素,再次优化分子结构模型,构建宽散射截面和高逸出势垒的低二次电子发射系数表面结构,采用离子溅射、真空蒸镀和化学刻蚀处理,进一步改性绝缘隔板。本发明设计合理,其通过合理修饰隔板表面状态,可提升开关柜在高温、高湿、凝露和污秽环境下的绝缘水平,为提高电力装备绝缘水平和运行可靠性提供理论依据和实践方法。

主权项:1.一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1、制作绝缘隔板样片,对绝缘隔板样片进行超声清洗,吹干后放入真空箱中保存;步骤2、将绝缘隔板样片放入X射线光电子能谱仪中,测量样片表面原子种类、含量和化学键占比,建立隔板分子结构模型;步骤3、对步骤2建立的隔板分子结构模型进行几何优化,通过数值比较得到势能面上能量最小的点,得到隔板分子最优结构模型;步骤4、对步骤3得到的隔板分子最优结构模型进行计算,得到隔板样片分子的带隙宽度,并计算样片分子电子亲和势;步骤5、在步骤3得到的隔板分子最优结构模型中添加特定元素,改变特定元素与氧原子百分比,再次优化分子结构模型,使优化后的模型具有最低势能;步骤6、对步骤5优化后的模型进行计算,获得隔板样片分子的带隙宽度,计算样片分子电子亲和势,得到原子种类、含量和化学键占比对隔板分子带隙宽度和电子亲和势的影响规律,基于该规律通过磁控溅射技术对隔板样片进行理化改性,构建宽散射截面和高逸出势垒的低二次电子发射系数表面结构;步骤7、在低二次电子发射系数表面结构基础上,采用离子溅射、真空蒸镀和化学刻蚀处理,进一步优化绝缘隔板。

全文数据:

权利要求:

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