申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-02-24

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116156895A

主分类号：H10B43/30

分类号：H10B43/30;H10B43/00;H01L29/423;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本申请提供一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成氧化层；步骤S2，在氧化层上形成具有选择栅结构区域图案的掩膜层后，对衬底实施离子注入；步骤S3，去除露出的氧化层；步骤S4，去除掩膜层后，形成选择栅结构区域的栅氧化层。采用原位水汽生长工艺形成选择栅结构区域的栅氧化层，实现了选择栅结构区域的栅氧化层的独立制备，提高了选择栅控制漏电的能力，降低了漏电和功耗。

主权项：1.一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，提供一衬底，在所述衬底上形成氧化层；步骤S2，在所述氧化层上形成具有选择栅结构区域图案的掩膜层后，对所述衬底实施离子注入；步骤S3，去除露出的所述氧化层；步骤S4，去除所述掩膜层后，形成所述选择栅结构区域的栅氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法

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