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申请/专利权人：索罗半导体(深圳)有限公司
摘要：本发明公开了一种对称高压MOS器件，涉及半导体技术领域，包括基层结构，基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层，第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层，基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层源极金属和漏极金属；其中，第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽，源极金属和漏极金属关于栅槽对称设置，栅槽内淀积有Al2O3介质，Al2O3介质顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间，Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属，栅极金属顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间并包裹住Al2O3介质；还公开了一种对称高压MOS器件的制作方法。本发明具有安全稳定、可靠性强和使用寿命长的优点。
主权项：1.一种对称高压MOS器件，其特征在于，包括基层结构，所述基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层，所述第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层，所述基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层源极金属和漏极金属；其中，所述第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽，所述源极金属和漏极金属关于所述栅槽对称设置，所述栅槽内淀积有Al2O3介质，所述Al2O3介质顶部延伸至所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间，所述Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属，所述栅极金属顶部延伸至所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间并包裹住所述Al2O3介质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索罗半导体(深圳)有限公司 一种对称高压MOS器件及其制作方法
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