首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种对称高压MOS器件及其制作方法 

申请/专利权人:索罗半导体(深圳)有限公司

申请日:2023-02-15

公开(公告)日:2023-05-26

公开(公告)号:CN116169174A

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L29/40;H01L23/29;H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要:本发明公开了一种对称高压MOS器件,涉及半导体技术领域,包括基层结构,基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层,第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层,基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层源极金属和漏极金属;其中,第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽,源极金属和漏极金属关于栅槽对称设置,栅槽内淀积有Al2O3介质,Al2O3介质顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间,Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属,栅极金属顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间并包裹住Al2O3介质;还公开了一种对称高压MOS器件的制作方法。本发明具有安全稳定、可靠性强和使用寿命长的优点。

主权项:1.一种对称高压MOS器件,其特征在于,包括基层结构,所述基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层,所述第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层,所述基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层源极金属和漏极金属;其中,所述第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽,所述源极金属和漏极金属关于所述栅槽对称设置,所述栅槽内淀积有Al2O3介质,所述Al2O3介质顶部延伸至所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间,所述Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属,所述栅极金属顶部延伸至所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间并包裹住所述Al2O3介质。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 索罗半导体(深圳)有限公司 一种对称高压MOS器件及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。