申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-11-24

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171046A

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/20

优先权：["20211124 KR 10-2021-0163364"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：半导体存储器件具有外围逻辑结构，该外围逻辑结构包括外围逻辑衬底和外围逻辑衬底上的外围逻辑绝缘膜。单元阵列结构包括顺序堆叠在外围逻辑结构上的单元衬底和源极结构。旁路过孔将单元衬底和外围逻辑衬底电连接。旁路过孔在单元衬底上具有在第一方向和第二方向中的至少一个方向上延伸的线形。第一方向和第二方向平行于单元衬底的上表面。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：外围逻辑结构，包括外围逻辑衬底和在所述外围逻辑衬底上的外围逻辑绝缘膜；单元阵列结构，包括顺序堆叠在所述外围逻辑结构上的单元衬底和源极结构；以及旁路过孔，将所述单元衬底和所述外围逻辑衬底电连接，其中，所述旁路过孔在所述单元衬底上具有在第一方向和第二方向中的至少一个方向上延伸的线形，所述第一方向和第二方向平行于所述单元衬底的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件和包括所述半导体器件的电子系统

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