申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2021-08-27

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171475A

主分类号：G11C7/06

分类号：G11C7/06

优先权：["20200831 US 17/008,476"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：一种电荷转移晶体管，耦合在位线和感测放大器的感测节点之间。在读取操作期间，电荷转移驱动器驱动电荷转移晶体管的栅极电压以控制电荷转移晶体管在电荷转移期间是否导通。为了辅助电荷转移晶体管的电荷转移，第一交叉耦合晶体管和第二交叉耦合晶体管耦合在位线和互补位线之间。

主权项：1.一种存储器，包括：位线；互补位线；感测放大器，具有与第二逻辑门交叉耦合的第一逻辑门，所述第一逻辑门具有连接到感测节点的输入，所述第二逻辑门具有连接到互补感测节点的输入；第一电荷转移晶体管，连接在所述位线与所述感测节点之间；第二电荷传输晶体管，连接在所述互补位线与所述互补感测节点之间；第一交叉耦合晶体管，具有连接到所述位线的漏极和连接到所述互补位线的栅极；以及第二交叉耦合晶体管，具有连接到所述互补位线的漏极和连接到所述位线的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 具有稳健电荷转移感测放大的SRAM

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