申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-23

公开（公告）日：2023-06-27

公开（公告）号：CN116347884A

主分类号：H10B10/00

分类号：H10B10/00;B82Y10/00;B82Y40/00

优先权：["20211223 US 17/560,779"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.06.27#公开

摘要：集成电路IC静态随机存取存储器SRAM包括具有不同纳米带宽度的共线通过栅极晶体管和下拉晶体管。所述通过栅极晶体管之内相对于所述下拉晶体管窄的带宽度可以减小位单元的读取不稳定性，和或减小与耦接至所述位单元的读取辅助电路相关联的开销。在一些示例中，更窄和更宽带宽度之间的过渡关于访问和下拉晶体管两者的带共享的中心线是对称的。在一些示例中，带宽度过渡定位于由访问和下拉晶体管共享的掺杂半导体区域之内，并且可以定位于端子接触金属化部下方。在一些示例中，围绕不同宽度的带的掺杂半导体区域也具有不同宽度。

主权项：1.一种静态随机存取存储器SRAM单元结构，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括纳米带堆叠体的具有第一带宽度的第一部分；以及与所述第一晶体管具有相同导电类型的第二晶体管，所述第二晶体管包括所述纳米带堆叠体的第二部分，其中，所述第二部分具有大于所述第一带宽度的第二带宽度，并且其中，所述纳米带堆叠体的所述第一部分的中心线与所述纳米带堆叠体的所述第二部分的中心线共线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 具有用于更大读取稳定性的纳米带宽度调制的SRAM

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