申请/专利权人：北京化工大学

申请日：2023-05-15

公开（公告）日：2023-07-25

公开（公告）号：CN116482801A

主分类号：G02B6/122

分类号：G02B6/122

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.11#实质审查的生效;2023.07.25#公开

摘要：本发明提供一种基于边模式实现Fano共振的结构，所述Fano共振的结构包括金属层，金属层内形成有输入通道、输出通道以及谐振腔；谐振腔为对称结构，且位于金属层内的中心位置；谐振腔分别与输入通道和输出通道直接耦合，输入通道连通于谐振腔的一侧，输出通道连通于谐振腔的另一侧，并且输入通道和输出通道位于同一直线上；输入通道和输出通道内填充有空气，谐振腔内填充有折射材料；共振系统的入射光能够穿过输入通道，并激发谐振腔内的边模式，从而获得Fano线型；本发明提供的基于边模式实现Fano共振的结构，进一步丰富了基于MIM波导实现Fano共振现象的方法，简化了实现Fano线型的结构体系，能够为多功能微纳光学器件的小型化和集成化发展提供新思路。

主权项：1.一种基于边模式实现Fano共振的结构，其特征在于，所述Fano共振的结构包括金属层5，所述金属层5内形成有输入通道1、输出通道2以及谐振腔3；所述谐振腔3为对称结构，且位于所述金属层5内的中心位置；所述谐振腔3分别与所述输入通道1和所述输出通道2直接耦合，所述输入通道1连通于所述谐振腔3的一侧，所述输出通道2连通于所述谐振腔3的另一侧，并且所述输入通道1和所述输出通道2位于同一直线上；所述输入通道1和所述输出通道2内填充有空气，所述谐振腔3内填充有折射材料4；共振系统的入射光能够穿过所述输入通道1，并激发所述谐振腔3内的边模式，从而获得Fano线型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京化工大学 一种基于边模式实现Fano共振的结构

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