申请/专利权人：上海艾深斯科技有限公司

申请日：2022-01-18

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN116496500A

主分类号：C08G77/18

分类号：C08G77/18;G03F7/09;G03F7/11

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：新的组合物包含作为组合的抗反射涂层ARC和硬掩模HM的硅氧烷共聚物，其由以下单体的共水解形成：RO4Si、R1SiCl3、R2SiCl3、R3SiCl3和R4SiCl3其中：R是烷基例如甲基或乙基基团，R1是248nm显微光刻法中抗反射的发色团例如多环芳基基团例如蒽、蒽甲基、蒽乙基和蒽丙基，R2是H，R3是甲基或非必要取代的C2‑C5烷基基团，并且非必要的R4是亲水性基团例如2‑[甲氧基聚亚乙基氧基6‑9丙基]三氯硅烷或2‑甲氧羰基乙基三氯硅烷。其中起始单体混合物中每种单体的摩尔％浓度0.00A、B、C、D0.95，0.00≤E0.50和A+B+C+D+E的总摩尔％浓度＝1。

主权项：1.耐蚀刻抗反射组合物ARCHM，包含硅氧烷共聚物，该硅氧烷共聚物由以下单体在溶剂中的共水解形成：ARO4Si，BR1SiCl3CR2SiCl3DR3SiCl3ER4SiCl3其中：R在每次出现时独立地选自C1-C4烷基，例如甲基或乙基基团，R1是248nm显微光刻法中抗反射的发色团，例如多环芳族基团例如蒽、蒽甲基、蒽乙基、和蒽丙基，R2是H，R3是甲基或非必要取代的C2-C5烷基基团，优选地在C2-C5烷基基团上非必要取代的基团包含乙基、丙基、异丙基、丁基和异丁基，R4是亲水性基团，例如C1-C4烷氧基聚亚乙基氧基6-9C1-C4烷基或甲氧羰基C1-C4烷基，优选地2-[甲氧基聚亚乙基氧基6-9丙基]或2-甲氧羰基乙基，其中起始单体混合物中每种单体的摩尔％浓度0.00A、B、C、D0.95，0.00≤E0.50和A+B+C+D+E的总摩尔％浓度＝1；优选地，0A0.80、0.05B0.20、0C0.50、0D0.80且0≤E0.40。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海艾深斯科技有限公司 用于KrF显微光刻法的单层组合物中组合的硬掩模和ARC

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