申请/专利权人：南京航空航天大学

申请日：2023-04-21

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN116497328A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/32;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECsta‑C复合多层结构制备方法，它通过高熵合金（HEA）过渡层、HEA过渡层表面强化和HECsta‑C多层交替生长形成HEAHECsta‑Cn复合涂层。其制备方法包括：（1）衬底预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射；（2）采用磁控溅射法制备HEA过渡层AlTiVCrZr；（3）HCPEB法强化过渡层；（4）采用磁控溅射法在强化后的AlTiVCrZr过渡层上沉积AlTiVCrZrC层；（5）采用过滤阴极真空电弧法在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta‑C；（6）重复（4）和（5）的操作得到AlTiVCrZrCta‑C多层交替的涂层。本发明的HECsta‑C复合多层增韧耐磨蚀涂层具有高硬度、强韧性和优异的耐磨蚀性能。

主权项：1.一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECsta-C复合多层结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，对衬底表面进行预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射；步骤二，采用磁控溅射法，以AlTiVCrZr五种元素混合的合金靶，并通入氩气，在衬底表面制备AlTiVCrZr过渡层；步骤三，采用HCPEB法，对AlTiVCrZr过渡层进行表面强化；步骤四，采用磁控溅射法，以AlTiVCrZr五种元素混合的合金靶，并通入甲烷和氩气，进一步沉积AlTiVCrZrC层；步骤五，采用过滤阴极真空电弧法，以石墨靶，并通入氩气，在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta-C；步骤六，重复步骤四和步骤五的操作得到AlTiVCrZrCta-C多层交替的涂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京航空航天大学 一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD