申请/专利权人：桂林电子科技大学

申请日：2021-02-22

公开（公告）日：2023-08-01

公开（公告）号：CN112838157B

主分类号：H10N10/01

分类号：H10N10/01;H10N10/852

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.01#授权;2021.06.11#实质审查的生效;2021.05.25#公开

摘要：本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。

主权项：1.一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼，以Sn粉、Ge粉和Te粉满足物质的量之比为1-x:x:1，称取Ge粉、Sn粉和Te粉进行混合，之后，将混合均匀的原料粉末在一定条件下进行熔炼，即可得到熔锭；所述步骤1的物质的量之比为（0.2-0.4:0.6-0.8:1；所述步骤1熔炼的条件为，在真空条件下，以升温时间为10-12h，升温至1100-1200K，然后再保温5-8h；所述步骤1熔炼条件在保温结束后，立即水淬至室温；步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结，将步骤1所得熔锭进行研磨、过筛，得到粒径小于300目的熔锭粉末，然后，在一定条件下进行放电等离子烧结，即可得到高致密度的SnTe掺Ge热电材料；所述步骤2放电等离子烧结的条件为，在50-60MPa压力下，以升温时间为5-8min，快速从室温升温至700-800K，然后再保温5-8min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桂林电子科技大学 一种SnTe掺Ge热电材料及其制备方法

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