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申请/专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日：2022-07-08
公开（公告）日：2023-08-04
公开（公告）号：CN116544218A
主分类号：H01L23/64
分类号：H01L23/64;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/06;H01L21/28;H01L21/336
优先权：["20220125 US 63/302,911"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开
摘要：一种PIP结构及具有PIP结构的高压元件与电容元件的制造方法。多晶硅‑绝缘物‑多晶硅即PIP结构包括：一第一多晶硅区，形成于一基板上；一第一绝缘区，形成于该第一多晶硅区的一第一侧外，而与该第一多晶硅区在一横向上邻接；以及一第二多晶硅区，形成于该第一绝缘区的一第三侧外，而使得该第一多晶硅区、该第一绝缘区与该第二多晶硅区于该横向上依次邻接；其中该第二多晶硅区以一第一自对准工艺步骤而形成于该第一绝缘区的该第三侧外；其中该第一绝缘区以一第二自对准工艺步骤而形成于该第一多晶硅区的该第一侧外。
主权项：1.一种多晶硅-绝缘物-多晶硅结构，其特征在于，包含：一第一多晶硅区，形成于一基板上；一第一绝缘区，形成于该第一多晶硅区的一第一侧外，而与该第一多晶硅区在一横向上邻接；以及一第二多晶硅区，形成于该第一绝缘区的一第三侧外，而使得该第一多晶硅区、该第一绝缘区与该第二多晶硅区于该横向上依次邻接；其中该第二多晶硅区以一第一自对准工艺步骤而形成于该第一绝缘区的该第三侧外；其中该第一绝缘区以一第二自对准工艺步骤而形成于该第一多晶硅区的该第一侧外。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 立锜科技股份有限公司 PIP结构及具有PIP结构的高压元件与电容元件的制造方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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