申请/专利权人：同济大学

申请日：2019-12-31

公开（公告）日：2023-09-01

公开（公告）号：CN111312887B

主分类号：H10N10/852

分类号：H10N10/852;H10N10/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.01#授权;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要：本发明涉及一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料及其制备，其化学通式为Sn1+δ3Pb13Ge13Te1‑ySey‑xMnTe，其中，0≤x≤0.25,0≤y≤1,0≤δ≤0.09。与现有技术相比，本发明的材料中含有高浓度的无序点缺陷，以获得低晶格热导率，其中，通过MnTe固溶能够有效调控能带，优化电学性能，从而获得SnTe基热电材料，并为热电材料性能优化提供了新的研究方向与指导思路等。

主权项：1.一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料，其特征在于，其化学通式为Sn1+δ3Pb13Ge13Te1-ySey-xMnTe，其中，x＝0.18-0.2，y＝0～0.5，δ＝0～0.04。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 同济大学 一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料及其制备

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