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【发明公布】光检测装置及测距装置_索尼半导体解决方案公司_202280011062.5 

申请/专利权人:索尼半导体解决方案公司

申请日:2022-01-13

公开(公告)日:2023-09-22

公开(公告)号:CN116802809A

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146

优先权:["20210127 JP 2021-011535"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.12.26#实质审查的生效;2023.09.22#公开

摘要:根据本公开的实施例的光检测装置包括:半导体衬底,包括彼此相对的第一表面和第二表面,并且包括像素阵列,多个像素以阵列设置在像素阵列中;半导体层,设置在半导体衬底的第一表面侧上;光接收器,对于每个像素设置在半导体衬底中,并且通过光电转换生成对应于所接收的光量的载流子;倍增器,包括顺次堆叠在第一表面侧的第一导电型区域和第二导电型区域,至少第二导电型区域设置在半导体层中,并且倍增器对由光接收器生成的载流子执行雪崩倍增;第一电极,设置在第一表面侧上,并且电耦接至光接收器;以及第二电极,设置在第一表面侧上,并且电耦接到倍增器。

主权项:1.一种光检测装置,包括:半导体衬底,包括彼此相对的第一表面和第二表面,并且包括像素阵列,在所述像素阵列中,多个像素以阵列设置;半导体层,设置在所述半导体衬底的第一表面侧;光接收器,对于每个所述像素,设置在所述半导体衬底的内部,并且通过光电转换生成对应于所接收的光量的载流子;倍增器,包括顺次堆叠在所述第一表面侧上的第一导电型区域和第二导电型区域,至少所述第二导电型区域设置在所述半导体层中,并且所述倍增器对由所述光接收器生成的所述载流子执行雪崩倍增;第一电极,设置在所述第一表面侧上,并且电耦接至所述光接收器;以及第二电极,设置在所述第一表面侧上,并且电耦接至所述倍增器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 索尼半导体解决方案公司 光检测装置及测距装置

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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

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