申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2023-04-14

公开（公告）日：2023-10-20

公开（公告）号：CN116913857A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092

优先权：["20220415 US 17/721397"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.10.20#公开

摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的外延层或层堆叠；多个第一类型的晶体管单元，所述多个第一类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第一区中并且并联电耦合以形成垂直功率晶体管；多个第二类型的晶体管单元，所述第二类型不同于所述第一类型，并且所述多个第二类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第二区中；以及隔离结构，所述隔离结构横向且垂直地界定所述外延层或层堆叠的所述第二区。所述隔离结构的侧壁和底部包括电介质材料，所述电介质材料将所述外延层或层堆叠中的所述多个第二类型的晶体管单元与所述多个第一类型的晶体管单元电隔离。还描述了制造半导体器件的方法。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的外延层或层堆叠；多个第一类型的晶体管单元，所述多个第一类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第一区中并且并联电耦合以形成垂直功率晶体管；多个第二类型的晶体管单元，所述第二类型不同于所述第一类型，并且所述多个第二类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第二区中；以及隔离结构，所述隔离结构横向且垂直地界定所述外延层或层堆叠的所述第二区，其中，所述隔离结构的侧壁和底部包括电介质材料，所述电介质材料将所述外延层或层堆叠中的所述多个第二类型的晶体管单元与所述多个第一类型的晶体管单元电隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 用于分离同一半导体管芯上的不同晶体管区的隔离结构

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