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【发明授权】一种TiZrVNbAl系含能高熵合金药型罩及其制备方法_北京理工大学_202210680795.X 

申请/专利权人:北京理工大学

申请日:2022-06-15

公开(公告)日:2023-10-20

公开(公告)号:CN115164648B

主分类号:F42B3/28

分类号:F42B3/28;C22C30/00;C22C1/02;C22F1/02;B22C9/24;B22D27/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.10.20#授权;2022.10.28#实质审查的生效;2022.10.11#公开

摘要:本发明涉及一种TiZrVNbAl系含能高熵合金药型罩及其制备方法,属于含能高熵合金材料技术领域。所述药型罩的含能高熵合金的原子百分比表达式记为TiaZrbVcNbdAleMx,其中M为Cr、Cu、Mo、Mg和Ni中的一种或多种,利用多主元效应引入多种高活性元素,同时优化各元素的含量以及调控微观组织结构,使含能高熵合金药型罩具有低密度、良好的变形能力、优异的高温强度以及高释能等特性,实现兼顾高穿深、大扩孔以及强后效毁伤的效果;另外,采用熔炼、固溶以及失效工艺即可制得所述含能高熵合金药型罩,工艺操作简单,工艺条件易于调控,生产效率高,且易于实现工业化生产,具有良好的应用前景。

主权项:1.一种TiZrVNbAl系含能高熵合金药型罩,其特征在于:制备所述药型罩的含能高熵合金的原子百分比表达式记为TiaZrbVcNbdAleMx,其中,M为Cr、Cu、Mo、Mg和Ni中的一种或多种,35<a≤65,0<b≤55,0≤c≤15,5≤d≤30,15≤e≤30,0≤x≤10,且a+b+c+d+e+x=100,a+c+x:b+d:e=3.0~6.5:1~2:1.5~2.5;同时,TiaZrbVcNbdAleMx是以BCC为基体相、以α2相或O相为增强相的含能高熵合金。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京理工大学 一种TiZrVNbAl系含能高熵合金药型罩及其制备方法

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