申请/专利权人：北京理工大学

申请日：2023-08-04

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN116988159A

主分类号：C30B29/52

分类号：C30B29/52;C30B9/12;H01F1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开

摘要：本发明涉及一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb2单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。所述单晶的晶胞参数为：a=4.7680Å，b=4.2990Å，c=8.97Å，α=γ=90°，β=103.01°。采用助熔剂法，选用的是Tl‑Sn作助熔剂，Tl和Sn元素的加入有助于使所述单晶中Eu、Sb两种元素更快更均匀的融合在一起，从而更好的成核结晶。所述材料为反铁磁材料，磁转变的奈尔温度为22.3K。

主权项：1.一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb2单晶，所述单晶的晶胞参数为：a=4.7680Å，b=4.2990Å，c=8.97Å，α=γ=90°，β=103.01°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京理工大学 一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb₂单晶及其制备方法

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