申请/专利权人：宁夏大学

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2023-11-07

公开（公告）号：CN117004910A

主分类号：C23C14/24

分类号：C23C14/24;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.24#实质审查的生效;2023.11.07#公开

摘要：本申请涉及一种SiBc8量子点薄膜的制备方法，通过电子束蒸发镀膜法在基体上沉积非晶硅薄膜，非晶硅的表面有晶体小面，为得到含有SiBc8相的量子点薄膜，在非晶硅薄膜上运用磁控溅射法沉积氧化钽薄膜，氧化钽与非晶硅相互接触，可诱导非晶硅薄膜沿111晶面择优生长为纳米晶硅薄膜，再运用电子束蒸发镀膜法在氧化钽薄膜表面沉积金属钽薄膜，金属钽可以对纳米晶硅薄膜的表面施加残余应力，使得纳米晶硅薄膜晶硅晶格内的Si‑Si键角增大，由Si‑I相相变为SiBc8相，纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜经退火和酸洗后获得含SiBc8相的硅量子点薄膜，相比于Si‑I相的硅量子点，SiBc8量子点薄膜的光电转化效率更高。

主权项：1.一种SiBc8量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选用硅片或玻璃作为基体，并对所述基体进行预处理；通过电子束蒸发镀膜法在所述基体上沉积非晶硅薄膜；在所述非晶硅薄膜上运用磁控溅射法沉积氧化钽薄膜，以实现所述非晶硅薄膜沿111晶面择优生长为纳米晶硅薄膜；在所述氧化钽薄膜表面运用电子束蒸发镀膜法沉积金属钽薄膜，得到纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜；对所述纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜进行退火处理；酸洗所述纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜，去除所述氧化钽薄膜和所述金属钽薄膜，获得含SiBc8相的硅量子点薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁夏大学 一种SiBc8量子点薄膜的制备方法

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